前言 客戶反饋在批量生產(chǎn)階段，發(fā)現(xiàn)部分產(chǎn)品的MCU的RTC在低溫（0℃）下工作不正常，但是在常溫下又是正常的，且其他正常的MCU的RTC在常溫與低溫下都是正常的。 問題跟進 通過與客戶郵件溝通，了解到客戶使用的MCU型號是STM32F030C6T6TR。在產(chǎn)品的主從結(jié)構(gòu)中主要用作電源管理和時鐘管理。通過客戶的描述，似乎相同型號不同片子都存在較大的差異。 由于時間緊急，在了解到初步信息后拜訪客戶，針對客戶認(rèn)為有問題的MCU芯片做針對性試驗。通過STM32CubMx生成測試工程，分別使用LSI(40K)，LSE(32.768K)，RTC工作時每秒通過LED1（PB5）取反一次(通過LED1燈是否閃爍來指示RTC是否工作正常)，然后分別測量OSC管腳與PA8腳（輸出LSI或LSE），并對比ST官方的NUCLEO-F030板，最終測試結(jié)果如下： 1、當(dāng)使用LSI時，無論常溫還是低溫下都能正常工作。 2、當(dāng)使用LSE時，常溫下能正常工作，但在低溫（0℃）時，RTC不再工作（LED1停止閃爍），且PA8管腳無輸出，但保持為高電平，且此時OSC管腳此時是存在32.768K的波形的。 3、通過修改負(fù)載電容C1&C2的電容值從5.1pF修改到6.8pF時，原本低溫下不工作的RTC又能恢復(fù)正常工作。 4、對比ST官方的NUCLEO-F030板子，在常溫與低溫下均能正常工作。 從測試結(jié)果來看，通過修改負(fù)載電容的方式能讓原本不能正常工作的RTC恢復(fù)正常工作，這個似乎為客戶的負(fù)載電容不能精準(zhǔn)的匹配系統(tǒng)的原因所致。 但客戶對于這個做法不接受的，理由是現(xiàn)在設(shè)計的負(fù)載電容5.1pF是通過測試后的值，精度可以達到6.5ppm,但如果改為6.8pF，那么精度將會變到大約30ppm，這個會影響到MCU的RTC的時間精準(zhǔn)度，系統(tǒng)在長時間運行后，時間必然會偏差很大，超出設(shè)計合理范圍，這個是不允許的。 問題分析 既然客戶不接受修改負(fù)載電容，那么首先我們重新梳理下客戶的晶振設(shè)計各種參數(shù)是否準(zhǔn)確，客戶的LSE電路設(shè)計如下所示： 如上圖，圖中的MR10 10Mohm這個反饋電阻在實際電路中是沒有加的，晶振使用的是TXC的，從晶振廠商提供的數(shù)據(jù)手冊中得到相關(guān)參數(shù)如下: 再者，由于客戶代碼中使用的LSE drive配置的是最高等級，從下圖芯片對應(yīng)的數(shù)據(jù)手冊中可以找到對應(yīng)的gm值為25uA/V,此時的驅(qū)動電流為1.6uA： 前面提到過AN2867這個文檔，我們打開這個文檔，在3.4節(jié)，發(fā)現(xiàn)有這個要求: 也就是要求gain margin的值要求大于5，這樣晶振才能正常起振，那么gain margin又是如何計算的呢?接下來找到gainmargin 的計算公式，如下: 其中g(shù)m就是圖4中從數(shù)據(jù)手冊中提到的跨導(dǎo)值，STM32F030 LSE的不同驅(qū)動等級對應(yīng)著不同的gm值，由于我們的測試代碼使用的是CubeMx自動生成的代碼，其默認(rèn)使用的是最高等級，且客戶使用的也是最高等級，因此，這個得出的gm值為25 uA/V, gm有了，那么上面公式中的gmcrit又該如何計算，我們接下來找到它的計算公式，如： 通過晶振對應(yīng)參數(shù)，我們可以得出: ESR =70KΩ,C0 =1.0pF, CL =7.0pF, 而F就是LSE的頻率，為32.768KHz. 于是: g_mcrit =4 * 7E4 *POWER(2*PI()*32768,2) * POWER ((1.0E-12 7.0E-12),2) =7.6E-07 最終得到: gain_magin =gm/g_mcrit=2.5E-05/7.6E-07 =32.89 這個值是遠大于5，因此，理論上不會存在晶振不起振是的問題，實際上當(dāng)在低溫下，之前在測試中也有發(fā)現(xiàn)晶振也是有起振，有波形輸出的，只不過PA8腳沒有波形輸出，那個又是什么問題呢？ 最終定位到LSE的驅(qū)動等級過高，在AN2867這個文檔中，有這樣的描述： 也就是說，在STM32F0和STM32F3中，當(dāng)使用最高驅(qū)動模式(gm_crit_max=5uA/V, 見Figure9gm_crit_max)時，對應(yīng)地應(yīng)該只使用在CL=12.5pF的晶振上，以此避免振蕩回路飽和，從而導(dǎo)致啟動失敗。若此時使用了一個較小的CL(如CL=6pF)，那么會導(dǎo)致振蕩頻率不穩(wěn)定和工作周期可能被扭曲。 AN2867隨后給出了一張表，列出了驅(qū)動等級與gm_min、gm_crit_max的關(guān)系，如下: 如上圖，對于STM32F0，當(dāng)使用最高驅(qū)動模式High時，此時的gm_min=25 uA/V,這個與數(shù)據(jù)手冊中是一致的，另外gm_crit_max=5uA/V，正是上面所描述的。 也就是說，在使用最高驅(qū)動模式下，此時與之對應(yīng)的CL應(yīng)該使用12.5pF,而客戶所使用的CL是7pF,這個與手冊AN2867的建議內(nèi)容是不相符的。從圖4可以看出，在最高驅(qū)動等級模式下，此時驅(qū)動電流最大(1.6uA)，但這里使用了一個比較小的負(fù)載電容(CL=7pF),按AN2867所述，此時有可能導(dǎo)致振蕩回路飽和，振蕩不穩(wěn)定，工作周期扭曲。 此時，應(yīng)該對應(yīng)地下調(diào)這個LSE驅(qū)動等級,減小驅(qū)動電流，這里有4檔(見Figure9):Low,Medium Low,Medium High,High. 目前使用的是High，正是它出了問題，為保守起見，使用Medium High相對合適。 如上圖，將LSEDRV[1:0]這兩個為修改為10即可，將原先低溫下RTC有問題的MCU芯片修改后再次放到低溫下進行驗證，測試結(jié)果為正常。由于此問題是部分芯片有可能會出現(xiàn)的問題，客戶需要對修改后的芯片進行持續(xù)跟蹤，至今沒有再反饋出現(xiàn)過此問題，由此，此問題基本解決。 總結(jié) AN2867這個文檔總結(jié)了關(guān)于STM32晶振匹配方面的信息。里邊有提到，負(fù)載電容CL值越大，所需的驅(qū)動電流也就越大，但牽引度越小。這也就解釋了表1中通過增大C1&C2的電容值，原本出現(xiàn)問題的RTC能恢復(fù)正常的現(xiàn)象，這是由于C1&C2的電容值變大將導(dǎo)致負(fù)載電容CL變大，進而對應(yīng)所需的驅(qū)動電流也就跟著增加，這反而減少了在高驅(qū)動模式情況下振蕩回路出現(xiàn)飽和的機會。 本文轉(zhuǎn)載自 轉(zhuǎn)載地址： 聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有，如涉及侵權(quán)，請聯(lián)系小編進行處理。 (mbbeetchina)