作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。
　　具體各個(gè)頻率點(diǎn)超標(biāo)解決方案如下：
　　1MHz以?xún)?nèi)：
　　以差模干擾為主1.增大X電容量；2.添加差模電感；3.小功率電源可采用PI型濾波器處理（建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些）。
　　1M-5MHz：
　　差模共?；旌?，采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決；
　　5MHz：
　　以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減（diudiu2006）;對(duì)于 25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán)，最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器。
　　1M-5MHZ：
　　差模共模混合，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量，添加差模電感器，調(diào)差模電感量;2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感，選用合理的電感量來(lái)抑制；3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管 1N4007。
　　5MHz以上：
　　以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
　　對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔閉環(huán)。處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。
　　對(duì)于20M-30MHz：
　　1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；
　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；
　　3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
　　4.改變PCB Layout；
　　5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；
　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
　　7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
　　9.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻。
　　30M-50MHz：
　　1.普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻，RCD緩沖電路采用1N4007慢管，VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決。
　　2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管；
　　3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決；
　　4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感；
　　5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
　　6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE；
　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
　　8.PCB LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??；
　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
　　50M-100MHZ：
　　普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，
　　1.可以在整流管上串磁珠；
　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEADCORE或串接適當(dāng)?shù)?a target='_blank' class='arckwlink_none'>電阻；
　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
　　100M-200MHz：
　　普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，可以在整流管上串磁珠100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管，現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果，水平方向基本可以解決問(wèn)題，但垂直方向就很無(wú)奈了。
　　開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M以下的頻段。也可以在MOS，二極管上加相應(yīng)吸收回路，但效率會(huì)有所降低。
　　200MHz以上：
　　開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。
?