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本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是IC生產(chǎn)流程與測(cè)試系統(tǒng)的詳細(xì)資料說(shuō)明。
IC 生產(chǎn)流程簡(jiǎn)介
你想知道精密的IC 芯片是如何從粗糙的硅礦石中誕生的嗎？本節(jié)將為您揭開IC 制造的神秘面紗。你知道嗎？制造一塊IC 芯片通常需要400 到500 道工序。但是概括起來(lái)說(shuō)，它一般分為兩大部分：前道工序（front-end production）和后道工序（back-end production）
［1］ 前道工序
該過(guò)程包括：
?。?） 將粗糙的硅礦石轉(zhuǎn)變成高純度的單晶硅。
（2） 在wafer 上制造各種IC 元件。
?。?） 測(cè)試wafer 上的IC 芯片
［2］ 后道工序
該過(guò)程包括：
?。?） 對(duì)wafer 劃片（進(jìn)行切割）
（2） 對(duì)IC 芯片進(jìn)行封裝和測(cè)試
在制造過(guò)程中有數(shù)道測(cè)試步驟。其中，在前道工序中對(duì)IC 進(jìn)行的測(cè)試，我們把它叫做wafer 測(cè)試。在后道工序過(guò)程中對(duì)封裝后的IC 芯片進(jìn)行的測(cè)試，我們稱之為封裝測(cè)試。在有些情況下，wafer 測(cè)試也被放在后道工序中，但在本文里，我們把wafer 測(cè)試歸為前道測(cè)試。
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