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那些半導(dǎo)體工藝更適合移動(dòng)終端的發(fā)展趨勢(shì)

2020-10-13 | pdf | 0.23 MB | 次下載 | 1積分

資料介紹

  哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對(duì)此,業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、雙極硅、絕緣硅(SoI)和藍(lán)寶石硅(SoS)等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高,但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期演進(jìn)(LTE)等4G技術(shù)的發(fā)展,分立技術(shù)在通信領(lǐng)域中正變得越來越少見。事實(shí)上許多人相信,智能手機(jī)的普及敲響了手持通信產(chǎn)品中分立實(shí)現(xiàn)技術(shù)的喪鐘。例如像iPhone這樣的手持設(shè)備,消費(fèi)者對(duì)更長電池使用時(shí)間、更強(qiáng)多媒體功能和小型體積等要求主導(dǎo)著產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。用更少的芯片提供更強(qiáng)的性能和更多的功能意味著體積和成本方面的節(jié)省。除了集成更多的元件外,今天的半導(dǎo)體器件和集成電路(IC)必須提供更低的功耗、更方便的設(shè)計(jì)和合理的價(jià)格等優(yōu)勢(shì)。在基礎(chǔ)設(shè)施方面同樣是這個(gè)趨勢(shì),因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)供應(yīng)商希望在滿足不斷增長的數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)同時(shí),能利用“綠色”基站降低系統(tǒng)功耗。從TriQuint半導(dǎo)體公司的行動(dòng)中也可以驗(yàn)證上述趨勢(shì)來。該公司目前正在推進(jìn)相對(duì)分立技術(shù)來說具有更高集成度的解決方案。 “大功率GaNon-SiC的優(yōu)秀性能已經(jīng)得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可,”TriQuint公司商業(yè)代工營銷部總監(jiān)Mike Peters指出,“TriQuint的方法是提供完整的MMIC GaN工藝,這種工藝允許在這些更大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更完整的集成。另外,公司的TriPower系列 RFIC在業(yè)界樹立了新的性能標(biāo)桿。采用系統(tǒng)性Doherty配置的兩種TriQuint TG2H214120-FL 120W器件可以提供60多瓦的平均WCDMA功率和55%的集電極效率。TriPower器件也很容易通過傳統(tǒng)的數(shù)字預(yù)失真(DPD)技術(shù)實(shí)現(xiàn)線性化?!?為了滿足正在發(fā)展的4G標(biāo)準(zhǔn)日益提高的帶寬和調(diào)制復(fù)雜性和當(dāng)前3G標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)增有關(guān)的要求,Peters認(rèn)為需要采用新一代的工藝技術(shù)產(chǎn)品?!斑@將涉及到提高集成度、提高功率和效率以及降低系統(tǒng)成本?!彼A(yù)計(jì),“技術(shù)改進(jìn)將深入化合物半導(dǎo)體(GaAs 和GaN)以及諸如銅倒裝芯片等封裝技術(shù)中去?!?工藝技術(shù)的持續(xù)發(fā)展確實(shí)在推動(dòng)蜂窩通信的演進(jìn)。舉例來說,Peregrine半導(dǎo)體公司與IBM公司的合作成為前段時(shí)間的熱門新聞。Peregrine公司的下一代UltraCMOS RF IC在經(jīng)過充分認(rèn)證后,將由IBM公司設(shè)在佛蒙特州伯林頓市的200mm晶圓半導(dǎo)體制造工廠采用兩家公司聯(lián)合開發(fā)的一種180nm工藝進(jìn)行制造。最近,Peregrine還與絕緣硅(SOI)晶圓提供商Soitec公司聯(lián)合開發(fā)了一種綁定型藍(lán)寶石硅基板,用于RF IC制造。這種新基板的開發(fā)和大批量生產(chǎn)已經(jīng)得到認(rèn)證,可用于制造Peregrine公司的下一代STeP5 UltraCMOS RF IC。這兩家公司能夠?qū)⒁粚訂尉з|(zhì)薄硅層運(yùn)載并綁定到藍(lán)寶石基板上。最終形成的綁定型硅層在晶體管遷移率和硅質(zhì)量方面都好于使用外延生長型硅層的傳統(tǒng)SOS晶圓。對(duì)Peregrine來說,新基板有望進(jìn)一步改善RF IC性能、功能和外形尺寸,而且IC尺寸減小和性能增強(qiáng)的幅度可達(dá)30%。這種基板還有助于Peregrine公司繼續(xù)保持其長期發(fā)展戰(zhàn)略,即采用能夠匹配體硅技術(shù)的良率和可擴(kuò)展質(zhì)量的基板技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高集成度的射頻前端(RFFE)IC解決方案。

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