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第三代功率半導(dǎo)體碳化硅 SiC（silicon carbide）具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。 首先，設(shè)計了兩電平三相逆變器主電路和帶有保護(hù)功能的隔離型驅(qū)動電路，使用 LTSpice 仿真分析了門極電阻對驅(qū)動性能的影響；其次，建立了逆變器的功率損耗與熱阻模型，使用 Icepak 對散熱器進(jìn)行了散熱分析；再次，討論了 PCB 板寄生參數(shù)對主電路和驅(qū)動電路的影響，并提出了減少寄生參數(shù)的措施；最后，采用 CREE 公司的 1 200 V/40 mΩ SiC MOSFET 制作了 1 臺 7.5 kW 的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)，并給出了測試結(jié)果。
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