包含 NV RAM 的微控制器設(shè)計(jì)指南

470894 2022-11-18 | pdf | 110.97KB | 次下載 | 免費(fèi)

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資料介紹

通過：凱文塞爾夫通過：凱文塞爾夫概述概述包含電池供電的非易失性 SRAM (NV RAM) 的微控制器已在嵌入式市場(chǎng)中得到廣泛認(rèn)可。與閃存或 EEPROM 技術(shù)不同，非易失性 SRAM 沒有寫入限制，這使其成為實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的理想選擇。在 Dallas Semiconductor 安全微控制器系列等產(chǎn)品中，NV RAM 可用于提供系統(tǒng)內(nèi)可重新編程的程序存儲(chǔ)器。包含電池供電的非易失性 SRAM (NV RAM) 的微控制器已在嵌入式市場(chǎng)中得到廣泛認(rèn)可。與閃存或 EEPROM 技術(shù)不同，非易失性 SRAM 沒有寫入限制，這使其成為實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用的理想選擇。在 Dallas Semiconductor 安全微控制器系列等產(chǎn)品中，NV RAM 可用于提供系統(tǒng)內(nèi)可重新編程的程序存儲(chǔ)器。本應(yīng)用筆記討論了包含 NV RAM 的微控制器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)指南。提出了一些設(shè)計(jì)建議來提高包含 NV RAM 的微控制器的可靠性。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，只要使用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，電池供電存儲(chǔ)器就與非易失性存儲(chǔ)器一樣可靠。本應(yīng)用筆記適用于安全和高速安全微控制器系列產(chǎn)品以及 DS87C530 高速微控制器。本應(yīng)用筆記討論了包含 NV RAM 的微控制器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)指南。提出了一些設(shè)計(jì)建議來提高包含 NV RAM 的微控制器的可靠性。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，只要使用標(biāo)準(zhǔn) CMOS 設(shè)計(jì)準(zhǔn)則，電池供電存儲(chǔ)器就與非易失性存儲(chǔ)器一樣可靠。本應(yīng)用筆記適用于安全和高速安全微控制器系列產(chǎn)品以及 DS87C530 高速微控制器。超出容限的電壓尖峰超出容限的電壓尖峰現(xiàn)實(shí)世界是一個(gè)嚴(yán)酷的地方。靜電放電 (ESD)、電氣噪聲等可能會(huì)進(jìn)入系統(tǒng)。許多這些現(xiàn)象會(huì)在一個(gè)或多個(gè)器件引腳上產(chǎn)生負(fù)電壓。CMOS 設(shè)計(jì)指南要求沒有引腳高于 V 現(xiàn)實(shí)世界是一個(gè)嚴(yán)酷的地方。靜電放電 (ESD)、電氣噪聲等可能會(huì)進(jìn)入系統(tǒng)。許多這些現(xiàn)象會(huì)在一個(gè)或多個(gè)器件引腳上產(chǎn)生負(fù)電壓。CMOS 設(shè)計(jì)指南要求沒有引腳高于 V CCCC或低于 V 或低于 V SSSS。違反此準(zhǔn)則可能會(huì)導(dǎo)致硬故障（損壞設(shè)備內(nèi)部的硅）或軟故障（意外修改內(nèi)存內(nèi)容）。。違反此準(zhǔn)則可能會(huì)導(dǎo)致硬故障（損壞設(shè)備內(nèi)部的硅）或軟故障（意外修改內(nèi)存內(nèi)容）。負(fù)電壓尖峰是 CMOS 器件的一個(gè)特殊問題。當(dāng)出現(xiàn)負(fù)電壓尖峰時(shí)，器件內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)寄生二極管會(huì)變?yōu)檎蚱谩?/font>這將導(dǎo)致設(shè)備消耗大量電流，并可能導(dǎo)致設(shè)備閂鎖。通常，逆轉(zhuǎn) CMOS 閉鎖的唯一方法是切斷器件的電源。如果設(shè)備的供電不受限制，則過大的電流消耗會(huì)對(duì)設(shè)備造成無法修復(fù)的損壞。