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硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)， 實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開發(fā)也在進行，但在包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有 課題。因此，與硅不同，沒有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無法切實去除搭接后的殘留損傷。本方法以開發(fā)適合于去 除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評價結(jié)晶缺陷的條件，使用加熱到500℃以上的KOH熔體的，溫度越高，安 全性存在問題，蝕刻速率高。
硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)， 實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開發(fā)也在進行，但在包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有 課題。因此，與硅不同，沒有適當(dāng)?shù)娜コ庸p傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無法切實去除搭接后的殘留損傷。本方法以開發(fā)適合于去 除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評價結(jié)晶缺陷的條件，使用加熱到500℃以上的KOH熔體的，溫度越高，安 全性存在問題，蝕刻速率高。
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