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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動方案

      SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記(三)SiC驅(qū)動方案

      2023-02-27 | pdf | 0.56 MB | 次下載 | 10積分

      資料介紹

      如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者M(jìn)OSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片，需要考慮如下幾個(gè)方面： 驅(qū)動電平與驅(qū)動電流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高頻開關(guān)場合，其面對的由于寄生參數(shù)所帶來的影響更加顯著。
      MOSFET SiC
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