資料介紹
相較于硅( Si)器件,碳化硅(SiC)器件所具有的高開關(guān)速度與低通態(tài)電阻特性增加了其瞬態(tài)波形的非理想特性與對雜散參數(shù)影響的敏感性,對其瞬態(tài)建模的精度提出更高的要求。通過功率開關(guān)器件瞬態(tài)過程的時間分段、機理解耦與參數(shù)解耦,突出器件開關(guān)特性,弱化物理機理,簡化瞬態(tài)過程分析,建立基于SiC MOSFET與SiC SBD的換流單元瞬態(tài)模型。理論計算結(jié)果與實驗結(jié)果對比表明,該模型能夠較為精細地體現(xiàn)SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)波形且能夠較為準確地計算SiC MOSFET開關(guān)損耗。該模型參數(shù)可全部由數(shù)據(jù)手冊提取,有較強的實用性。
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