資料介紹
不同于傳統(tǒng)封裝工藝,晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時(shí)候就對芯片進(jìn)行封裝,保護(hù)層可以黏接在晶圓的頂部或底部,然后連接電路,再將晶圓切成單個(gè)芯片。
1.封裝尺寸?。ㄓ捎跊]有引線、鍵合和塑膠工藝,封裝無需向芯片外擴(kuò)展,使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。)
2.高傳輸速度(與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比,WLP一般有較短的連接線路,在高效能要求如高頻下,會(huì)有較好的表現(xiàn)。)
3.高密度連接(WLP可運(yùn)用數(shù)組式連接,芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周,提高單位面積的連接密度。)
4.生產(chǎn)周期短(WLP從芯片制造到、封裝到成品的整個(gè)過程中,中間環(huán)節(jié)大大減少,生產(chǎn)效率高,周期縮短很多)。
5.工藝成本低(WLP是在硅片層面上完成封裝測試的,以批量化的生產(chǎn)方式達(dá)到成本最小化的目標(biāo)。WLP的成本取決于每個(gè)硅片上合格芯片的數(shù)量,芯片設(shè)計(jì)尺寸減小和硅片尺寸增大的發(fā)展趨勢使得單個(gè)器件封裝的成本相應(yīng)地減少。WLP可充分利用晶圓制造設(shè)備,生產(chǎn)設(shè)施費(fèi)用低。)
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