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雙 P 溝道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管 （FET），采用小型無引腳超薄封裝 DFN2020-6 （SOT1118） 表面貼裝器件 （SMD） 塑料封裝，采用溝槽 MOSFET 科技。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢 低閾值電壓 溝槽MOSFET技術(shù) • • 開關(guān)速度非?？?• • 小型無引腳超薄 SMD 塑料封裝：2 x 2 x 0.65 mm • 外露式排水墊，具有出色的導(dǎo)熱性能 • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 3. 應(yīng)用 • 直流到直流轉(zhuǎn)換 • 高速線路驅(qū)動(dòng)器 • 高側(cè)負(fù)載開關(guān) • 開關(guān)電路 參數(shù) 4. 快速參考數(shù)據(jù) 表 1.快速參考數(shù)據(jù) 象征 每個(gè)晶體管 VDS的 VGS系列 編號(hào) 靜態(tài)特性（每個(gè)晶體管） 漏源導(dǎo)通狀態(tài) RDSon 電阻 漏源電壓 柵源電壓 漏極電流 條件 Tj = 25 °攝氏度 VGS = -4.5 V;Tamb = 25 °C [1] VGS = -4.5 V;內(nèi)徑 = -3.6 安;Tj = 25 °攝氏度 最小值 典型值 麥克斯 單位 - -10 - - - - - -20 10 -3.6 V V 一個(gè) 50 66 mΩ [1] 設(shè)備安裝在 FR4 PCB 上，單面銅，鍍錫，安裝墊，漏極 6 cm2。
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