仁懋電子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向 500V 高壓高頻場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及 500V 耐壓，廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED 電源等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT9N50D 為N 溝道增強型功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.7Ω，在高壓場景下平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)性能；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：9A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達36A，滿足負載瞬間啟動與持續(xù)工作需求；
• 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值20nC，降低驅(qū)動電路功耗，提升開關(guān)頻率適配性。

二、核心特性

• 快速開關(guān)能力：具備優(yōu)異的開關(guān)速度，適配高頻開關(guān)電源（如 LLC 拓撲、反激拓撲）及電子鎮(zhèn)流器等對開關(guān)速度敏感的應(yīng)用場景，可提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率。
• 雪崩可靠性：通過雪崩能量測試，單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達9mJ，重復(fù)雪崩能量13.5mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強。
• dv/dt 魯棒性：優(yōu)化 dv/dt 耐受能力，峰值反向恢復(fù) dv/dt 達4.5V/ns，適應(yīng)高壓高頻環(huán)境的嚴苛工作條件。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：44W，實際應(yīng)用需搭配散熱措施（如散熱片）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 降額系數(shù)：0.35W/℃（結(jié)溫超過 25℃時），需結(jié)合熱管理設(shè)計調(diào)整負載能力。

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的高頻設(shè)計需求；同時提供 TO-251 直插封裝（對應(yīng)型號 MOT9N50C，70 片 / 管），滿足傳統(tǒng)插裝需求；
• 典型應(yīng)用：
  • 高頻開關(guān)模式電源：如服務(wù)器電源、工業(yè) AC-DC 轉(zhuǎn)換器的 LLC、反激拓撲中，作為主開關(guān)管實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換；
  • 電子鎮(zhèn)流器：用于熒光燈、高壓氣體放電燈的驅(qū)動電路，通過快速開關(guān)實現(xiàn)燈光穩(wěn)定控制；
  • LED 電源：在高壓 LED 驅(qū)動電源中作為主開關(guān)管，兼顧 500V 耐壓與高頻開關(guān)需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）