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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書(shū)

      PSMN1R9-80SSE N溝道80V、1.9 mOhm MOSFET規(guī)格書(shū)

      2025-02-14 | pdf | 328.68KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 采用 LFPAK88 封裝，符合 175 °C 標(biāo)準(zhǔn)。 部分 Nexperia用于熱插拔和軟啟動(dòng)的專(zhuān)用MOSFET（ASFET）。這 PSMN1R9-80SSE 提供非常低的 RDSon 和增強(qiáng)的安全工作區(qū)域性能，同時(shí) 高可靠性銅夾LFPAK88封裝。 PSMN1R9-80SSE 補(bǔ)充了最新的“熱插拔”控制器 - 足夠堅(jiān)固，可以承受 導(dǎo)通期間的浪涌電流很大，導(dǎo)通時(shí)導(dǎo)通率低，可較大限度地降低 I2R 損耗并提供最佳性能 完全打開(kāi)時(shí)的效率。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) • • • 完全優(yōu)化的安全工作區(qū) （SOA），實(shí)現(xiàn)卓越的線(xiàn)性模式操作 低導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)低 I2R 傳導(dǎo)損耗 LFPAK88包適用于需要最高性能和可靠性的應(yīng)用 
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