我們希望米勒平臺(tái)的時(shí)間短，但是往往容易出現(xiàn)震蕩，反而發(fā)熱更大。另一 方面，如果米勒平臺(tái)時(shí)間短，對(duì)于高壓管子來(lái)說(shuō)，開(kāi)通時(shí) dv/dt 大，所包含的諧 波分量就大。

什么是諧波分量呢？任何一個(gè)波形都可以用若干個(gè)正弦波進(jìn)行疊加，那么， 我們 MOSFET 由于米勒平臺(tái)時(shí)間短，dv/dt 就很大，就表示開(kāi)關(guān)波形的沿越陡， 棱角越分明。一般我們所說(shuō)的基波是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，dv/dt 產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)波形， 可以由這個(gè)基波和很多個(gè)高次諧波分量的正弦波疊加。如果沿越陡，諧波分量就 越多；如果沿越緩，諧波分量就越少。諧波分量其實(shí)是一個(gè)輻射源，如果 dv/dt 越緩，那么諧波分量越少，EMC 更加容易通過(guò)。

高壓管子的平臺(tái)時(shí)間多少合適呢？高頻載波的話，米勒平臺(tái)時(shí)間在 300ns~1us，那么 1us 可能發(fā)熱會(huì)大一些，具體要看封裝和 Id 電流的大小，如果 最后測(cè)試下來(lái)，溫度能接受，那也是可以的。那么如果 MOSFET 只用于電源上電 和斷電時(shí)的開(kāi)關(guān)來(lái)用，那么這個(gè)平臺(tái)時(shí)間長(zhǎng)一點(diǎn)也沒(méi)關(guān)系，畢竟是低頻的。

對(duì)于低壓管子來(lái)說(shuō)，由于 GS 電容偏大，所以 Igs 電流要大，柵極電阻要更小， 建議 10R~100R。也就是說(shuō)，雖然低壓的管子 GS 電容大，但是柵極電阻小，米勒 平臺(tái)的時(shí)間也不會(huì)太長(zhǎng)。

低壓管子的平臺(tái)時(shí)間多少合適呢？可以更小一些，90ns~300ns。這些 都是個(gè)人的一些看法，不代表權(quán)威性，要根據(jù)自己的項(xiàng)目各自評(píng)估。

關(guān)于高壓管子和低壓管子，具體的米勒平臺(tái)的時(shí)間，還需要看 Vgs 波形 是否震蕩為準(zhǔn)。

尤其在 MOSFET 用于上下橋互補(bǔ)斬波的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)一些問(wèn)題。什么是 上下橋互補(bǔ)斬波呢？

上面這幅圖就是上下橋互補(bǔ)輸出，意思就是上下管不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就短 路了。上管開(kāi)通時(shí)，下管就要關(guān)閉；下管開(kāi)通時(shí)，上管也要關(guān)閉，這就是互補(bǔ)輸 出的含義。

如果驅(qū)動(dòng)上管的 PWM 信號(hào)是 S1，驅(qū)動(dòng)下管的 PWM 信號(hào)是 S2。

那么 S1 為低，S2 為高；S1 為高，S2 為低。同時(shí)，我們也知道，MOSFET 的 開(kāi)通和關(guān)斷都是有延時(shí)的，再加上剛剛說(shuō)的 MOSFET 開(kāi)通或關(guān)斷出現(xiàn)震蕩，那么， 有可能出現(xiàn)上下互通的情況。一般我們避免這種情況發(fā)生，會(huì)加一個(gè)死區(qū)。

可以讓開(kāi)通延時(shí)，下降時(shí)間不變。這就是我們互補(bǔ)輸出方式。

在 GS 波形正常情況下，上面這個(gè)電路是沒(méi)有問(wèn)題的。但是由于 GD 之間是有 電容的。

假設(shè)我們的管子開(kāi)通快，關(guān)斷也快。另外，我們前面也講到過(guò)，GD 之間的 米勒電容 Cgd 與漏極電壓有關(guān)。那么接下來(lái)，討論在死區(qū)期間，其中一個(gè)管子開(kāi)

通的一瞬間，對(duì)另一個(gè)管子 GS 波形的影響。

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