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??????? 離子注入是另一種對半導(dǎo)體進行摻雜的方法。將雜質(zhì)電離成離子并聚焦成離子束，在電場中加速而獲得極高的動能后，注入到硅中（稱為 “靶” ）而實現(xiàn)摻雜。
??????? 離子束的性質(zhì)
??????? 離子束是一種帶電原子或帶電分子的束狀流，能被電場或磁場偏轉(zhuǎn)，能在高壓下加速而獲得很高的動能。
??????? 離子束的用途
??????? 摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化、改性、打孔、切割等。不同的用途需要不同的離子能量 E ：
?????????????????????????????? E? < 10 KeV ，刻蝕、鍍膜
?????????????????????????????? E? = 10 ~ 50 KeV，曝光
?????????????????????????????? E? > 50 KeV，注入摻雜???????
5.1 離子注入系統(tǒng)
??????? 離子源：用于離化雜質(zhì)的容器。常用的雜質(zhì)源氣體有 BF3、 AsH3 和 PH3 等。
??????? 質(zhì)量分析器：不同離子具有不同的電荷質(zhì)量比，因而在分析器磁場中偏轉(zhuǎn)的角度不同，由此可分離出所需的雜質(zhì)離子，且離子束很純。
??????? 加速器：為高壓靜電場，用來對離子束加速。該加速能量是決定離子注入深度的一個重要參量。
?????? 中性束偏移器：利用偏移電極和偏移角度分離中性原子。???
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