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相變存儲器驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)
摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設(shè)計, 并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實現(xiàn)。該驅(qū)動電路通過Hspice 仿真, 表明帶隙基準(zhǔn)電壓、偏置電流均具有較高的精度, 取得了良好的仿真結(jié)果, 在16 Kb相變存儲器芯片測試中, 進(jìn)一步驗證了以上仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞: 相變存儲器; 電流驅(qū)動; 基準(zhǔn)電壓; 偏置電流; 電流鏡; 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設(shè)計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路、偏置電流產(chǎn)生電路、電流鏡電路及控制電路組成。該結(jié)構(gòu)用于16 Kb以及1 Mb容量的相變存儲器芯片的設(shè)計, 并采用中芯國際集成電路制造(上海) 有限公司的0118μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝實現(xiàn)。該驅(qū)動電路通過Hspice 仿真, 表明帶隙基準(zhǔn)電壓、偏置電流均具有較高的精度, 取得了良好的仿真結(jié)果, 在16 Kb相變存儲器芯片測試中, 進(jìn)一步驗證了以上仿真結(jié)果。
關(guān)鍵詞: 相變存儲器; 電流驅(qū)動; 基準(zhǔn)電壓; 偏置電流; 電流鏡; 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
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