資料介紹
本文論述了基本非易失存儲(chǔ)器(NVM)的基本概念。第一部分介紹了NVM的基本情況,包括NVM的背景以及常用的存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)。第二部分我將介紹怎樣通過(guò)熱電子注入實(shí)現(xiàn)NVM的編程。第三部分包括了用FOWLER-NORDHEIM 隧道效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)NVM的擦除。同時(shí),簡(jiǎn)單的FN隧道效應(yīng)的原理也將在這里給大家做一個(gè)說(shuō)明。第四部分介紹了用于預(yù)測(cè)NVM編程特性的模型—熱電子注入機(jī)制所依賴的“幸運(yùn)電子”模型。最后一部分介紹了NVM可靠性方面的問(wèn)題,如數(shù)據(jù)保持能力(DATA RETENTION),耐久力(ENDURANCE),和干擾(DISTURB)。
關(guān)鍵字:非易失,存儲(chǔ)器,F(xiàn)lash,EPROM,EEPROM,熱電子注入,隧道效應(yīng),可靠性,數(shù)據(jù)保持,耐久力,干擾,閃存
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