NAND Flash是一種非易失存儲器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機存儲等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
東北大學(xué)近日宣布，單晶鈷（Co）/鉑（Pt）結(jié)構(gòu)是一種簡單的鐵磁/非磁雙層結(jié)構(gòu)，可以在不使用外部磁場的情況下通過電流注入來磁化。表明Co/Pt結(jié)構(gòu)可以用光記錄信息，也可以有效地用電記錄信息，并且，他們已經(jīng)開發(fā)了一種非易失性磁場，可以存儲來自光纖和電線的數(shù)據(jù)。宣布已成功開發(fā)一種記憶材料。
2023-07-11 09:59:55691 
的非易失性存儲器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB
2023-09-22 08:01:591885 
新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:543054 概述:FM1808是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進(jìn)的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
）頻繁的記錄數(shù)據(jù)而使寫密集時。除了EEPROM中有功電流不足，EEPROM 還產(chǎn)生額外頁編寫延遲，這樣導(dǎo)致器件在較長時間內(nèi)保持活躍模式。它會使功耗增加。 使用以下的公式1和公式2計算出寫入FRAM
2020-10-09 14:27:35
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
以及改進(jìn)整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
存取速度分類)：1、隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
SRAM的非易失性單元基于SONOS技術(shù)。他們利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的優(yōu)勢通過將電荷捕獲在夾層氮化物層中來存儲數(shù)據(jù)。FN隧道技術(shù)的主要優(yōu)勢在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大
2020-04-08 14:58:44
一樣周期性刷新。由于鐵電效應(yīng)是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關(guān)，所以FRAM存儲器的內(nèi)容不會受到外界條件（諸如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性
2014-04-25 13:46:28
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
。”高云半導(dǎo)體全球市場副總裁兼中國區(qū)銷售總監(jiān)黃俊先生表示，“GW1N系列器件可滿足消費類電子、視頻、安防、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、有線/無線通信等不同市場的智能連接、接口擴展等需求。通過GW1N系列產(chǎn)品，高云半導(dǎo)體可以向用戶提供高安全
性、
單芯片、低成本、小薄封裝等優(yōu)勢的最優(yōu)化
非易失性FPGA解決方案?！?/div>
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
，比較是否一致，一致則計數(shù)”。然后重復(fù)測N次得到非易失性的有效讀寫次數(shù)。但是又不能直接拿STM32的引腳來驅(qū)動FRAM芯片的VCC，又不能老是手動斷電上電這么來測，這下有點找不準(zhǔn)方向了。想知道論壇里面各位大神有沒有什么好的測試方案木有。。。
2013-09-03 10:52:35
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲
2021-12-24 07:27:45
隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
數(shù)據(jù)嗎？ 不會。FRAM 是一款非易失性存儲器，即使在斷電后也可保持其中的數(shù)據(jù)。 與可在個人計算機、工作站和非手持游戲控制臺（例如 PlayStation 和 Xbox）的大型（主）存儲器中使用的常用
2018-08-20 09:11:18
”。 鐵電存儲器就是利用了這種非易失性。 雖然EEPROM或閃存也會根據(jù)元件內(nèi)的存儲區(qū)域是否有電荷來記憶數(shù)據(jù)，但FRAM是根據(jù)極化的方向來記憶數(shù)據(jù)的，所以兩者具有不同的記憶方式。 FRAM的特長FRAM
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
FM25C160 是美國Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。它具有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:03
35 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地，特別是主要用于手機和
2010-01-11 10:02:22883 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲器。AgigA
2010-08-20 09:27:261002 賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011886 MAXQ器件包含的硬件部分可以實現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)，如同訪問數(shù)據(jù)空間一樣訪問代碼空間。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ的效用函數(shù)，可實現(xiàn)存儲器的擦寫服務(wù)，為完整的可讀寫非易失存
2011-05-31 11:51:501512 
本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲器的數(shù)字電位計的各種型號參數(shù)知識，來方便大家選型
2011-12-12 15:24:4829 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪問存儲器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25858 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:552264 
使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機制
2017-01-19 21:22:5414 隨著物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 的擴張，新連接的設(shè)備數(shù)有望到 2020 年達(dá)到數(shù)十億。連接這些設(shè)備的主要原因之一是要通過數(shù)據(jù)處理實現(xiàn)更智能的自動化系統(tǒng)。這些設(shè)備收集的數(shù)據(jù)越多，越有利于作出更明智的決策以及改進(jìn)整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。
2017-04-26 17:19:171027 （phase-change memory, PCM）、磁阻式隨機存儲（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存儲技術(shù)已經(jīng)有了較長的開發(fā)歷史。
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計的非易失性存儲技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400 包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02933 半導(dǎo)體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
FRAM的非易失性對于當(dāng)時業(yè)界可以說是顛覆性的，存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲信息的特性，這意味著電路中無須加入后備電池，仍可在偶發(fā)斷電時保存重要數(shù)據(jù)，因此一經(jīng)推出即備受關(guān)注。而當(dāng)談及FRAM，往往無法避開這一家半導(dǎo)體廠商，它就是——富士通半導(dǎo)體。
2019-02-21 11:32:395482 存儲器的核心是存儲芯片。以斷電后數(shù)據(jù)是否丟失為劃分依據(jù)，存儲芯片可分為“易失性芯片”和“非易失性芯片”兩大類。
2020-03-22 09:59:0011032 
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為MRAM存儲芯片供應(yīng)商分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有
2020-07-10 14:19:201190 鐵電存儲器（FRAM）是一種隨機存取存儲器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它將DRAM的快速讀取和寫入訪問，它是個人電腦存儲中最常用的類型，與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣
2020-08-18 15:22:321189 
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。 非易失性存儲器是一個
2020-08-27 10:21:551487 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890 新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:121278 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲器概況 存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然
2020-12-07 14:26:136411 
內(nèi)存耐久度指定為存儲單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
應(yīng)用程序來決定執(zhí)行數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲器是易失性的還是非易失性的。通?？蓤?zhí)行代碼的存儲器采用基于ROM的技術(shù)，而數(shù)據(jù)任務(wù)的存儲器則采用基于RAM的技術(shù)。作為賽普拉斯中的一款非易失性RAM產(chǎn)品，FRAM提供了獨特的優(yōu)點—它能夠?qū)⒖蓤?zhí)
2021-01-04 14:27:44691 CYPRESS串行非易失性存儲器為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)捕獲提供卓越的性能和可靠性。Excelon鐵電存儲器FRAM系列提供高速非易失性數(shù)據(jù)記錄功能，即使在極端溫度下在惡劣的汽車和工業(yè)操作環(huán)境中也可防止數(shù)據(jù)
2021-01-07 15:16:02862 器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:021621 
ADM1260：帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-16 17:27:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供F-RAM非易失性存儲技術(shù)優(yōu)勢與安全氣囊設(shè)計資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555 富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154 
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器，采用先進(jìn)鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲
2021-06-08 16:32:201314 MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因為它以SRAM
2021-06-23 16:16:261347 低功耗設(shè)計的植入人體的增強生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:192880 [ESP8266學(xué)習(xí)筆記]components_nvs 非易失性存儲 Non-Volatile Storage(NVS)，保存數(shù)據(jù)到flash
2021-12-02 12:51:1111 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41878 
在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:561791 
易失性存儲器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲器的發(fā)展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:282450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于C8051F340的非易失大容量數(shù)據(jù)存儲方案.pdf》資料免費下載
2023-10-18 11:02:571 FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:464890 該專利涉及一種新型非易失性存儲裝置及其制作工藝。具體而言，其步驟如下：首先，制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底；接著，在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層；然后，在絕緣材料層上形成犧牲層，該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū)；
2024-05-06 10:33:02886 
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