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半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述

2018-11-19 | ppt | 8.30 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體制造教程之工藝晶體的生長(zhǎng)資料概述

  一、襯底材料的類型

  1.元素半導(dǎo)體 Si、Ge…。

  2. 化合物半導(dǎo)體 GaAs、SiC 、GaN…

  二、對(duì)襯底材料的要求

  導(dǎo)電類型:N型與P型都易制備;

  電阻率:0.01-105·cm,均勻性好(縱向、橫向、微區(qū))、可靠性高(穩(wěn)定、真實(shí));

  壽命(少數(shù)載流子):晶體管—長(zhǎng)壽命; 開(kāi)關(guān)器件—短壽命;

  晶格完整性:低位錯(cuò)(《1000個(gè)/cm2);

  純度高:電子級(jí)硅(EGS) --1/109雜質(zhì);

  晶向:Si:雙極器件--《111》;MOS--《100》;

  直徑、平整度、禁帶寬度、遷移率等。

  Si:

  含量豐富,占地殼重量25%;

  單晶Si 生長(zhǎng)工藝簡(jiǎn)單,目前直徑最大18英吋(450mm)

  氧化特性好, Si/SiO2界面性能理想,可做掩蔽膜、鈍化膜、介質(zhì)隔離、絕緣柵等介質(zhì)材料;

  易于實(shí)現(xiàn)平面工藝技術(shù);

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