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本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體材料的教程之晶體的詳細資料概述主要內(nèi)容包括了：一、晶體結(jié)構(gòu)，二、晶面與晶向，三、晶體中的缺陷和雜質(zhì)，四、單晶硅的制備，五、晶圓加工
晶體可分為單晶和多晶，若在整塊材料中，原子都是規(guī)則的、周期性的重復(fù)排列的，一種結(jié)構(gòu)貫穿整體，這樣的晶體稱為單晶，如石英單晶，硅單晶，巖鹽單晶等。多晶是由大量微小的單晶隨機堆砌成的整塊材料。實際的晶體絕大部分是多晶，如各種金屬材料和電子陶瓷材料。由于多晶中各晶粒排列的相對取 向各不相同，其宏觀性質(zhì)往往表現(xiàn)為各向同性，外形也不具有規(guī)則性。
半導體材料硅、鍺等都屬金剛石結(jié)構(gòu)。金剛石結(jié)構(gòu)可以看成是沿體對角線相互錯開四分之一對角線長度的面心立方元胞套構(gòu)而成的。
晶體具有各向異性的特征，在研究晶體的物理特征時，通常必須標明是位于什么方位的面上或沿晶體的什么方向，為此引入晶面與晶向的概念。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的晶向和晶面，國際上通用密勒指數(shù)來統(tǒng)一標定晶向指數(shù)與晶面指數(shù)。
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