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絕緣體上硅（Silicon-on-Insulator，SOI ）技術(shù)是一種被廣泛應(yīng)用于抗輻射加固設(shè)計的技術(shù)。該技術(shù)相對于體硅技術(shù)而言，最大的改進在于增加了埋氧層，將體硅中的體區(qū)與襯底隔離開，形成介質(zhì)隔離從而杜絕閂鎖效應(yīng)和總劑量輻射效應(yīng)引發(fā)的器件間漏電。由于SOI 襯底-埋氧層-頂層硅： 三部分形成了新的MOS 結(jié)構(gòu)，通常也稱為背柵晶體管。這種埋氧層的存在使得基于SOI 技術(shù)的晶體管在抗單粒子、瞬態(tài)輻射等效應(yīng)時有著天然的優(yōu)勢B。然而，埋氧層的存在也增加了總劑量輻射效應(yīng)的敏感區(qū)域，使得SOI 的總劑量效應(yīng)變得更嚴重。通過電路設(shè)計驗證加固效果時需要反復(fù)對電路進行輻射實驗，大大增加了抗輻射電路開發(fā)的成本，開發(fā)周期十分漫長。針對總劑量效應(yīng)建立可用于電路仿真的SPICE 模型，是一種較為迅速的加固設(shè)計開發(fā)方法。已有的研究主要針對SOI 器件的前柵柵氧與隔離場氧建立總劑量模型，缺少針對埋氧層進行的建模。
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