資料介紹
基于0.6 μm CMOS 工藝的單片集成有源電感設(shè)計(jì)
吉小冬[1][2] 孫玲[2] 包志華[2]
(1. 東南大學(xué)集成電路學(xué)院,江蘇,南京,210096
2.南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇,南通,226007)
摘要:采用0.6 μm CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)了一種CMOS 工藝單片集成有源電感的設(shè)計(jì),其電路原理圖由 2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和2 個(gè)P 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成,電感值可受直流偏置控制,占用面積小。仿真結(jié)果表明,該有源電感電路的工作頻率范圍為1MHz~1GHz,600MHz 頻率處電感的Q 值達(dá)到26,等效電感值為400nH。
關(guān)鍵詞:有源電感;單片集成電路;品質(zhì)因數(shù);CMOS 工藝
吉小冬[1][2] 孫玲[2] 包志華[2]
(1. 東南大學(xué)集成電路學(xué)院,江蘇,南京,210096
2.南通大學(xué)江蘇省專用集成電路設(shè)計(jì)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,江蘇,南通,226007)
摘要:采用0.6 μm CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)了一種CMOS 工藝單片集成有源電感的設(shè)計(jì),其電路原理圖由 2 個(gè)N 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和2 個(gè)P 型場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成,電感值可受直流偏置控制,占用面積小。仿真結(jié)果表明,該有源電感電路的工作頻率范圍為1MHz~1GHz,600MHz 頻率處電感的Q 值達(dá)到26,等效電感值為400nH。
關(guān)鍵詞:有源電感;單片集成電路;品質(zhì)因數(shù);CMOS 工藝
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