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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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在電子設(shè)備日益精密、工作環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜的今天,靜電放電(ESD)已成為威脅產(chǎn)品可靠性和壽命的“隱形殺手”。一個微小瞬間的靜電沖擊,可能導(dǎo)致芯片損壞、功能失...
STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個IGBT和二極管。 ...
TL430系列 可調(diào)分流調(diào)節(jié)器技術(shù)手冊
TL430 是一款 3 端子可調(diào)分流穩(wěn)壓器,具有出色的溫度穩(wěn)定性、寬工作電流范圍和低輸出噪聲。輸出電壓可由兩個外部電阻器設(shè)置為 3 V 至 30 V 之...
快恢復(fù)二極管因其能夠在高頻和高效能應(yīng)用中提供優(yōu)異的性能而廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、驅(qū)動電路等領(lǐng)域。選擇適當(dāng)?shù)姆庋b對于充分發(fā)揮快恢復(fù)二極管的性能至關(guān)重要...
2024-08-01 標(biāo)簽:芯片二極管快恢復(fù)二極管 566 0
LM185-2.5-N系列 微功率基準(zhǔn)電壓源二極管技術(shù)手冊
LM185-2.5-N/LM285-2.5-N/LM385-2.5-N是德州儀器(TI)生產(chǎn)的一系列2.5V微功耗兩端帶隙電壓基準(zhǔn)芯片。這些器件具有極低...
日本計算器供應(yīng)商夏普、佳能和Busicom與各種美國半導(dǎo)體供應(yīng)商合作,為他們的計算器開發(fā)定制芯片。夏普與羅克韋爾合作,佳能與TI合作,Busicom與M...
ISOM871x高速光學(xué)仿真器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments ISOM871x高速光學(xué)仿真器是具有二極管仿真器輸入和數(shù)字輸出的單通道光耦仿真器。該器件是許多傳統(tǒng)光耦合器的引腳兼容...
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的...
LM51231-Q1 具有輸出電壓跟蹤功能的 2.2MHz 寬 VIN 同步升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
LM51231-Q1 器件是一款寬輸入范圍同步升壓控制器,采用峰值電流模式控制。該器件的寬輸入范圍支持汽車?yán)鋯雍拓?fù)載突降。當(dāng) BIAS 等于或大于 3...
5v2a小體積、高效率開關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513B
UN5v2a小體積、高效率開關(guān)電源應(yīng)用方案U7711C+U9513BU711C+U9513B在隔離電源設(shè)計中,同步整流芯片的應(yīng)用顯得尤為重要。隔離電源需...
2025-08-14 標(biāo)簽:二極管開關(guān)電源高效率 550 0
TPL7407LA-Q1 30V、7 通道汽車級 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPL7407LA-Q1 是一款高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個 NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電...
在高速分揀系統(tǒng)內(nèi),機(jī)械臂因激光測距技術(shù)3毫秒的延遲導(dǎo)致抓取失?。欢谧詣玉{駛測試中,因障礙物距離信息更新延遲,車輛險些發(fā)生事故——在工業(yè)自動化、機(jī)器人技...
人工智能機(jī)器人浪涌靜電防護(hù),TVS保護(hù)二極管怎么選型?
故非常有必要增加TVS二極管來替MOS管抗短路,以吸收瞬間能量。從東沃機(jī)器人BMS電池管理系統(tǒng)短路防護(hù)方案圖可知,東沃FAE工程師推薦SMAK10-05...
ISOM8600 功能隔離、直流輸入、常開輸出、單通道隔離開關(guān)光仿真器數(shù)據(jù)手冊
ISOM8600 是一款 80V 單刀常開開關(guān),帶有光仿真器輸入。光仿真器輸入控制背靠背 MOSFET,無需在次級側(cè)提供任何電源。這些器件與許多傳統(tǒng)光耦...
理想二極管+雷卯TVS:過拋負(fù)載P5A測試,功耗降97%
講解理想二極管=NMOS+專用控制器一.優(yōu)點:1、極低功耗:導(dǎo)通壓降僅10-20mV,20A電流下功耗降至0.4W(較肖特基二極管降低97%),無需額外...
技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動器、保護(hù)、溫度報告和理想二極管模式的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG34...
2025-02-25 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換開關(guān)模式電源 537 0
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