TPL7407LA-Q1 是一款高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成，具有高壓輸出和共陰極箝位二極管，用于切換電感負(fù)載。單個(gè) NMOS 通道的最大漏極電流額定值為 600 mA。添加了新的調(diào)節(jié)和驅(qū)動(dòng)電路，可在所有 GPIO 范圍 （1.8 V–5 V） 內(nèi)提供最大驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。晶體管可以并聯(lián)以獲得更高的電流能力。
*附件：tpl7407la-q1.pdf

TPL7407LA-Q1 的主要優(yōu)勢(shì)是比雙極達(dá)林頓方案更高的功率效率和更低的泄漏。使用較低的 V老與每通道電流小于 250 mA 的傳統(tǒng)繼電器驅(qū)動(dòng)器相比，用戶的功耗不到傳統(tǒng)繼電器驅(qū)動(dòng)器的一半。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 +125°C 環(huán)境工作溫度范圍
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 600mA 額定漏電流（每個(gè)通道）
• 7 通道達(dá)林頓陣列的 CMOS 引腳對(duì)引腳改進(jìn)（例如：ULN2003A）
• 功率效率高（極低的 V 老 )
  • V 電壓降低不到 4 倍老在 100 mA 時(shí)比達(dá)林頓陣列
• 每通道 < 10 nA 的極低輸出泄漏
• 高壓輸出 30 V
• 與 1.8V 至 5V 微控制器和邏輯接口兼容
• 內(nèi)部續(xù)流二極管，用于感應(yīng)反沖保護(hù)
• 輸入下拉電阻器允許對(duì)輸入驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行三態(tài)
• 輸入 RC 緩沖器可消除嘈雜環(huán)境中的雜散作
• ESD 保護(hù)超過(guò) JESD 22
  • 2kV HBM、500V CDM

參數(shù)

方框圖

1. 產(chǎn)品概述

TPL7407LA-Q1是一款7通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)，滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，適用于-40°C至+125°C的環(huán)境溫度范圍。該產(chǎn)品具有高電壓輸出能力（最高30V）和高電流驅(qū)動(dòng)能力（每通道最大600mA），適用于驅(qū)動(dòng)繼電器、步進(jìn)電機(jī)、電磁閥等感性負(fù)載以及LED和邏輯電平轉(zhuǎn)換。

2. 主要特性

• ?AEC-Q100認(rèn)證?：適用于汽車級(jí)應(yīng)用。
• ?高電壓輸出?：每通道最大30V，適合驅(qū)動(dòng)高電壓負(fù)載。
• ?高電流驅(qū)動(dòng)?：每通道最大600mA，可并聯(lián)使用以提供更高電流。
• ?低功耗?：輸出級(jí)具有很低的VOL，相比傳統(tǒng)達(dá)林頓陣列減少了一半以上的功耗。
• ?低漏電流?：每通道輸出漏電流小于10nA。
• ?輸入保護(hù)?：具有輸入下拉電阻和RC濾波，可防止噪聲引起的誤觸發(fā)。
• ?內(nèi)部保護(hù)?：集成自由輪二極管，可防止感性負(fù)載產(chǎn)生的反向電壓損壞驅(qū)動(dòng)器。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

• ?汽車應(yīng)用?：如車窗升降器、雨刷器、座椅調(diào)節(jié)器等。
• ?工業(yè)控制?：如自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電磁閥控制等。
• ?消費(fèi)電子?：如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)等設(shè)備中的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

4. 功能描述

• ?多通道驅(qū)動(dòng)?：提供7個(gè)獨(dú)立的低側(cè)驅(qū)動(dòng)通道，可單獨(dú)控制或并聯(lián)使用。
• ?邏輯電平兼容?：兼容1.8V至5V的邏輯電平輸入。
• ?過(guò)壓保護(hù)?：內(nèi)置過(guò)壓保護(hù)電路，防止輸入電壓過(guò)高損壞芯片。
• ?熱保護(hù)?：具有熱關(guān)斷功能，防止芯片過(guò)熱損壞。

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：16引腳TSSOP封裝。
• ?尺寸?：5.00mm × 4.40mm。

6. 電氣特性

• ? 輸出低電平電壓（VOL） ?：在VIN≥1.5V，ID=100mA條件下，典型值為210mV，最大值為450mV。
• ? 輸入低電平電壓（VIL） ?：最大值為0.9V。
• ? 輸入高電平電壓（VIH） ?：最小值為1.5V。
• ? 連續(xù)漏極電流（IDS） ?：每通道最大600mA。

7. 布局與熱考慮

• ?布局指南?：建議使用厚銅跡線連接輸出，以承載高電流；輸入跡線可以使用薄銅，但需保持足夠的間距以避免串?dāng)_。
• ?熱管理?：根據(jù)應(yīng)用中的線圈電流和芯片功耗確定可驅(qū)動(dòng)的線圈數(shù)量，必要時(shí)使用外部散熱片或冷卻機(jī)制降低結(jié)溫。

8. 設(shè)計(jì)資源與支持

• ?數(shù)據(jù)手冊(cè)?：提供詳細(xì)的電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息和設(shè)計(jì)指南。
• ?社區(qū)資源?：TI E2E在線社區(qū)提供技術(shù)支持和用戶交流。
• ?文檔更新通知?：可通過(guò)TI官網(wǎng)訂閱產(chǎn)品文檔更新通知。

9. 注意事項(xiàng)

• ?靜電放電（ESD）保護(hù)?：在處理集成電路時(shí)，應(yīng)遵循適當(dāng)?shù)腅SD預(yù)防措施。
• ?功率耗散?：確保芯片在工作條件下的功率耗散不超過(guò)最大允許值，以避免過(guò)熱損壞。
• ?輸入保護(hù)?：在噪聲較大的環(huán)境中，建議在輸入端連接額外的RC濾波電路以提高噪聲容限。