單節(jié)鋰電池保護解決方案(2)

引言：上節(jié)（傳送門：CSS-1：單節(jié)鋰電池保護解決方案-1）簡單講解了PCM在充放電過程中的運行過程，對于一個鋰電池組的PCM設(shè)計來說，不僅僅需要滿足法...

2023-06-12 標(biāo)簽：鋰電池電池管理MOSFET 1787 0

介紹直流開關(guān)電源中的buck電路

Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓撲結(jié)構(gòu)，屬于非隔離的直流變換器。

2023-06-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電容直流變換器 1314 0

如何用雙MOS設(shè)計分立式負載開關(guān)？

基于單個MOSFET拓撲的負載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流，由于MOSFET有一個固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET連接器負載開關(guān) 8018 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET電壓源VDS 1.4萬 1

SiC動態(tài)表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET寄生電感體二極管 2298 0

經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路原理分析

電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計中非常常見，因為做電路設(shè)計很多時候就像在搭積木，這個電路模塊，加上那個電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會...

2023-05-05 標(biāo)簽：電路設(shè)計MOS管I2C 3492 0

淺析幾種常見的PFC拓撲

有橋boostPFC電路是最基本的電路，就不敘述了。

2023-03-20 標(biāo)簽：Boost開關(guān)管PFC電路 1.2萬 0

IIC總線雙向電平轉(zhuǎn)換電路的工作原理

在IIC主從設(shè)備連接時，需要考慮主從設(shè)備的電平情況，常規(guī)的主要有3種：5V、3.3V、1.8V，如果電平相同，那么就直接連接;若電平不同，一個高電平是5...

2023-03-16 標(biāo)簽：MOS管總線IIC 5276 0

PMOS管放倒灌電路講解(電路圖+工作原理)

如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來進行電壓的選擇，當(dāng)VIO9V電壓存在時，此時電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給...

2023-03-16 標(biāo)簽：電源電路圖PMOS 1.5萬 0

淺談NMOS的作用

說明：主要存在于單獨MOS中，這三種叫法意思都一樣。本文以NMOS來說明。

2023-03-10 標(biāo)簽：NMOSMOS電子開關(guān) 5927 0

介紹一種單MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路

我們經(jīng)常使用電平轉(zhuǎn)換芯片來轉(zhuǎn)換IO口電壓???實現(xiàn)不同電壓等級芯片之間電平轉(zhuǎn)換，比如兩個處理器使用串口通訊，其中一個處理器的串口為1.8V電平，另外一個...

2023-03-10 標(biāo)簽：處理器MOS管MOS 9545 0

基于MOSFET搭建簡易的電平轉(zhuǎn)換電路

在電子產(chǎn)品中，不同芯片的供電電壓不同，導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號電平不同，無法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域，而瑞薩RH850的I...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFETMOS管體二極管 5333 0

N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

從事于電子電路設(shè)計的朋友們應(yīng)該都知道，MOSFET是十分常見的一種電子元器件。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFETN溝道電子電路 1.0萬 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性：MOSFET的反向恢復(fù)特性對于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性

本文的關(guān)鍵要點?在LLC轉(zhuǎn)換器中，如果偏離預(yù)期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會引發(fā)直通電流，這可能會造成開關(guān)損耗增加，最壞的情況下可能會...

2023-02-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1990 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升：重負載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項

因此，在PSFB電路中，需要使用trr小的MOSFET。簡言之，trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET，但制造商和產(chǎn)品系列不...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 982 0

SiC-MOSFET體二極管的特性說明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1922 0

MOS管的體二極管來源與作用

下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

2023-01-11 標(biāo)簽：二極管MOS管NMOS 3.4萬 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡析

PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管體二極管高電平 1.5萬 0