兩個(gè)MOS管串聯(lián)接法的應(yīng)用

本文是關(guān)于兩個(gè)MOS 管串聯(lián)組成反向電流阻斷電路的介紹。

2023-07-19 標(biāo)簽：串聯(lián)接口usb 3.7萬 1

MOS管的體二極管來源與作用

下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

2023-01-11 標(biāo)簽：二極管MOS管NMOS 3.4萬 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡(jiǎn)析

PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管體二極管高電平 1.5萬 0

PMOS管放倒灌電路講解(電路圖+工作原理)

如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給...

2023-03-16 標(biāo)簽：電源電路圖PMOS 1.5萬 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動(dòng)的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET電壓源VDS 1.4萬 1

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件MOS管柵極 1.4萬 0

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)分指南

JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半...

2024-05-08 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管JFET并聯(lián)電容 1.2萬 0

2023-03-20 標(biāo)簽：Boost開關(guān)管PFC電路 1.2萬 0

N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

從事于電子電路設(shè)計(jì)的朋友們應(yīng)該都知道，MOSFET是十分常見的一種電子元器件。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFETN溝道電子電路 1.0萬 0

介紹一種單MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路

我們經(jīng)常使用電平轉(zhuǎn)換芯片來轉(zhuǎn)換IO口電壓???實(shí)現(xiàn)不同電壓等級(jí)芯片之間電平轉(zhuǎn)換，比如兩個(gè)處理器使用串口通訊，其中一個(gè)處理器的串口為1.8V電平，另外一個(gè)...

2023-03-10 標(biāo)簽：處理器MOS管MOS 9545 0

MOS的電流方向是唯一的嗎？

在常規(guī)使用中，似乎流經(jīng)NMOS和PMOS的電流只朝一個(gè)方向流動(dòng)，但實(shí)際情況是，MOS的電流流向和BJT不一樣，BJT的電流流向已經(jīng)固定，但是MOS并沒有。

2023-06-20 標(biāo)簽：MOS管NMOSBJT 8425 0

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET連接器負(fù)載開關(guān) 8018 0

電池保護(hù)板過充過放保護(hù)原理

如今社會(huì)電子化越來越普遍，也越來越多的產(chǎn)品內(nèi)部集成了電池，電池是一種通過內(nèi)部材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生電能的器件

2023-10-09 標(biāo)簽：MOSFET電池電壓體二極管 7498 1

什么是負(fù)載開關(guān)？為什么需要負(fù)載開關(guān)及負(fù)載開關(guān)的保護(hù)功能？

負(fù)載開關(guān)是一個(gè)集成的電子繼電器，內(nèi)部用一個(gè)開關(guān)來連接和斷開系統(tǒng)電源軌。類似于閘刀，同時(shí)，集成了很多輔助保護(hù)功能。

2023-10-02 標(biāo)簽：繼電器負(fù)載開關(guān)體二極管 7123 0

MOS管體二極管是什么？MOS管體二極管的作用

體二極管是MOS管中的一個(gè)重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結(jié)。由于把B極和S極短路了，因此出現(xiàn)了SD之間的體二極管。今天我們簡(jiǎn)單來講下關(guān)于體二...

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管電源電壓 6647 0

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？

以NMOS為例，如上圖，S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體，并且襯底和S極是接到一起的。 在Vgs電壓大于門限電壓Vth時(shí)，也就是柵...

2023-12-27 標(biāo)簽：電流MOS管NMOS 5942 0

淺談NMOS的作用

說明：主要存在于單獨(dú)MOS中，這三種叫法意思都一樣。本文以NMOS來說明。

2023-03-10 標(biāo)簽：NMOSMOS電子開關(guān) 5927 0

基于MOSFET搭建簡(jiǎn)易的電平轉(zhuǎn)換電路

在電子產(chǎn)品中，不同芯片的供電電壓不同，導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號(hào)電平不同，無法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域，而瑞薩RH850的I...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFETMOS管體二極管 5333 0

IIC總線雙向電平轉(zhuǎn)換電路的工作原理

在IIC主從設(shè)備連接時(shí)，需要考慮主從設(shè)備的電平情況，常規(guī)的主要有3種：5V、3.3V、1.8V，如果電平相同，那么就直接連接;若電平不同，一個(gè)高電平是5...

2023-03-16 標(biāo)簽：MOS管總線IIC 5276 0