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標(biāo)簽 > 光刻工藝
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3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)...
在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每...
2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)集成電路光刻工藝 457 0
MEMS制造領(lǐng)域中光刻O(píng)verlay的概念
在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將...
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求...
在芯片制造的復(fù)雜流程中,光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻O(píng)verlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對(duì)準(zhǔn)...
本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀(guān)奇跡中,芯片制造無(wú)疑扮演著核心角色,它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石,也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)...
“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個(gè)步驟有一個(gè)異常,整個(gè)光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場(chǎng)異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
埃瑞微半導(dǎo)體前道套刻設(shè)備總部項(xiàng)目簽約無(wú)錫高新區(qū)
據(jù)了解,無(wú)錫埃瑞微半導(dǎo)體設(shè)備有限責(zé)任公司以集成電路的全會(huì)工程正在專(zhuān)心研發(fā)制造量測(cè)量設(shè)備,為光刻工藝的大量生產(chǎn)誤差為代表的夾注測(cè)量設(shè)備和其他缺陷正在致力提...
2023-12-04 標(biāo)簽:集成電路光刻工藝半導(dǎo)體設(shè)備 1.1k 0
如今,光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)容錯(cuò)率極低的大產(chǎn)業(yè)。全球領(lǐng)先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴(lài)于世界上最平坦的鏡子、最強(qiáng)大的商用...
該工序使用涂膠裝置(涂膠機(jī))。為了去除光刻膠中含有的溶劑,在70 ~ 90°C的溫度下進(jìn)行前烘(Pre -Bake)。在曝光裝置上“繪制”掩膜圖形。接下...
2022-12-09 標(biāo)簽:光刻工藝 9.9k 0
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