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光刻機(jī)

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光刻機(jī)技術(shù)

世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備意味著什么?

剛剛研制成功的世界首臺(tái)分辨力最高紫外超分辨光刻裝備意味著什么？對(duì)國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)有何影響？

2018-12-02 標(biāo)簽：光刻機(jī) 6k 0

晶圓制造到底難在哪？

以硅晶片為例，硅從石英砂里提煉出來，在高溫下，碳和里面的二氧化硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)只能得到純度約為98%的純硅，這對(duì)于微電子器件來說不夠純，因?yàn)榘雽?dǎo)體材料的電...

2019-10-14 標(biāo)簽：硅晶片光刻機(jī)晶圓制造 6k 0

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖...

2023-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 5.7k 0

光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米，但如果要獲得更小的線寬，DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的極紫外光刻（EUVL）成...

2024-04-25 標(biāo)簽：光源晶體管光刻機(jī) 5.7k 0

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)光刻技術(shù) 5.6k 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測(cè)試...

2023-06-15 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 5.1k 0

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化...

2023-10-09 標(biāo)簽：電路圖光刻光刻機(jī) 5k 0

光刻機(jī)的分類與原理

本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光...

2025-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī) 5k 0

光刻技術(shù)的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標(biāo)簽：芯片電子元件光刻 4.8k 0

偏振集成紅外光電探測(cè)器研究進(jìn)展與應(yīng)用

偏振集成探測(cè)器具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊，并且無需圖像配準(zhǔn)對(duì)動(dòng)態(tài)目標(biāo)同時(shí)同地同源探測(cè)與識(shí)別的優(yōu)勢(shì)。

2023-08-15 標(biāo)簽：探測(cè)器紅外傳感器光刻機(jī) 4.8k 0

一文讀懂讀透半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備

刻蝕設(shè)備的重要性僅次于光刻機(jī)。而隨著NAND閃存進(jìn)入3D、4D時(shí)代，要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比，刻蝕設(shè)備的投資占比顯著提升，從25%提至50%。

2023-05-22 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)半導(dǎo)體設(shè)備 4.6k 0

淺談ASML EUV光刻機(jī)路線圖

目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小時(shí)曝光160片晶圓，年產(chǎn)量為140萬片。

2022-12-21 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 4.2k 0

淺談半導(dǎo)體設(shè)備高精密陶瓷關(guān)鍵部件的技術(shù)

對(duì)于芯片制造來講，光刻是一個(gè)必不可少的環(huán)節(jié)，可以說，沒有光刻機(jī)，就沒有現(xiàn)代芯片產(chǎn)業(yè)。在集成電路制造過程中，光刻工藝的費(fèi)用約占制造成本的1/3 左右，耗費(fèi)...

2024-01-31 標(biāo)簽：芯片制造 CMP 光刻機(jī) 4.1k 0

***平行光源應(yīng)用及性能參數(shù)

光刻機(jī)用UV光源，其通過特殊光學(xué)設(shè)計(jì)發(fā)射出接近平行光的UV平行光，使特定波段的紫外線通過掩膜掩孔對(duì)集成電路高精密線路完成蝕刻曝光顯影的工作。

2023-05-11 標(biāo)簽：led 集成電路光刻機(jī) 4.1k 0

中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的利器——IP核

2020-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IP核光刻機(jī) 4k 0

國(guó)產(chǎn)***能否拯救中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)？

6年以作者的認(rèn)知我是認(rèn)為不太可能達(dá)成，但就當(dāng)他可能吧，6年后我們才能擁有28nm全打通的國(guó)產(chǎn)蝕刻設(shè)備，與網(wǎng)路上鋪天蓋地的蝕刻我們已能做到5nm是不是有如...

2023-01-17 標(biāo)簽：光刻機(jī)量子計(jì)算 3.9k 0

一文解析UCIe技術(shù)細(xì)節(jié)

UCIe[4]是一種開放的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)互連，為異構(gòu)芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價(jià)比的封裝內(nèi)連接，以滿足整個(gè)計(jì)算系統(tǒng)的需求。

2022-10-10 標(biāo)簽：封裝光刻機(jī)異構(gòu)芯片 3.8k 0

用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹

? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)光刻技術(shù) 3.8k 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測(cè)、補(bǔ)償

光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 3.6k 0

組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹

? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)...

2025-01-07 標(biāo)簽：照明光源光刻機(jī) 3.6k 0

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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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