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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。
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晶圓清洗過(guò)濾的清洗效果評(píng)估是一個(gè)多維度、系統(tǒng)性的過(guò)程,涉及微觀分析、量化檢測(cè)和功能性驗(yàn)證等多個(gè)層面。以下是具體的評(píng)估方法和關(guān)鍵指標(biāo):1.表面顆粒物檢測(cè)激...
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類(lèi)型及實(shí)施要點(diǎn):濕...
2025-09-17 標(biāo)簽:材料半導(dǎo)體制造光刻膠 507 0
提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級(jí)和材料創(chuàng)新等多方面策略,以下是具體方法及技術(shù)要點(diǎn):1.工藝參數(shù)精準(zhǔn)控制動(dòng)態(tài)調(diào)整化學(xué)配方根據(jù)殘留類(lèi)型(正膠...
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的...
半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點(diǎn)企業(yè)
光刻膠(Photoresist)又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹(shù)脂、增...
2025-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電子束光刻膠 1.9k 0
利用彩色光刻膠的光學(xué)菲涅爾波帶片平面透鏡設(shè)計(jì)
光學(xué)操控技術(shù)已成為諸多應(yīng)用領(lǐng)域中的有力工具,它的蓬勃發(fā)展也使得學(xué)界對(duì)光學(xué)器件小型化的需求日益增長(zhǎng)。因此,以超表面和衍射光學(xué)元件為代表的平面透鏡技術(shù)由于其...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging, WLP)作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù),正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位...
刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝
在本篇文章中,我們主要介紹刻蝕工藝評(píng)價(jià)的工藝參數(shù)以及如何做好刻蝕工藝。 一、刻蝕工藝質(zhì)量評(píng)價(jià) 1)刻蝕速率 刻蝕速率是指在蝕刻過(guò)程中被去...
一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望
光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng),光刻膠的需求...
隨著線條寬度的不斷縮小,為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比,提高對(duì)比度,應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會(huì)遇到耐腐蝕性的問(wèn)題。由此開(kāi)發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù),這...
微型晶體管的制造過(guò)程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過(guò)程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 1.2k 0
光刻膠是一種有機(jī)化合物,它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化,而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。
2024-04-30 標(biāo)簽:光刻膠 1.4k 0
光刻膠按照種類(lèi)可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 5.6k 0
請(qǐng)問(wèn)3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?
在3D NAND的制造過(guò)程中,一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻,即:臺(tái)階蝕刻,channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
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