【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 312 0

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...

2025-07-30 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 783 0

芯片制造的四大工藝介紹

這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。

2025-07-16 標(biāo)簽：芯片制造光刻加工工藝 2.5k 0

電子束曝光與顯影工藝解讀

EBL就像是納米世界里的精密畫筆，能夠在極其微小的尺度上"畫"出任何你想要的二維圖案。

2025-07-09 標(biāo)簽：納米光刻電子束 2.1k 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬(wàn)億...

2025-05-25 標(biāo)簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 523 0

一文詳解電子束光刻技術(shù)

本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...

2025-04-30 標(biāo)簽：工藝光刻電子束 2.8k 0

光阻的基礎(chǔ)知識(shí)

本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻（Photoresist，PR）的...

2025-02-13 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 3k 0

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理???...

2025-01-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻 2.3k 0

光刻掩膜技術(shù)介紹

?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱“mask”，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻掩膜 4k 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.7k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2k 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.6k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

金屬層2工藝是什么

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來(lái)。

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.3k 0

Line Edge Roughness (LER) 線邊緣粗糙度

來(lái)源：C Lighting 線邊緣粗糙度(LER) 線邊緣粗糙度（LER）指的是柵極圖案邊緣的隨機(jī)變化，即印刷圖案邊緣的粗糙度。當(dāng)最小特征尺寸減小到幾十...

2024-08-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體光刻 4.1k 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 3.6k 0

激光指向穩(wěn)定在光刻系統(tǒng)應(yīng)用中的關(guān)鍵作用及其優(yōu)化方案

光刻是半導(dǎo)體制造工藝中的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐...

2024-06-27 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體激光 2.4k 0

電子束技術(shù)的原理與應(yīng)用概覽

電子束技術(shù)在半導(dǎo)體制造行業(yè)一直是重要的應(yīng)用技術(shù)。本文就電子束技術(shù)作一個(gè)簡(jiǎn)單的圖文介紹。

2024-04-30 標(biāo)簽：光刻電子束半導(dǎo)體制造 3.7k 0

玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

聚焦放電主要包括兩個(gè)步驟：1) 將玻璃放在兩個(gè)電極之間，通過(guò)控制放電對(duì)玻璃局部區(qū)域進(jìn)行放電熔融；2)通過(guò)焦耳熱使玻璃內(nèi)部產(chǎn)生高應(yīng)力，引起內(nèi)部高壓和介電擊穿。

2024-04-26 標(biāo)簽：等離子光刻顯微鏡 2.4k 0