一文解析DARM工藝流程

DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的工藝流程包括多個關(guān)鍵步驟。

2024-04-05 標簽：電容晶圓存儲單元 9.7k 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

2024-03-18 標簽：集成電路芯片制造光刻 3.6k 0

刻蝕機是干什么用的 刻蝕機和光刻機的區(qū)別

刻蝕機的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將...

2024-03-11 標簽：芯片制造光刻光刻機 1.6萬 0

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)...

2024-03-08 標簽：芯片制造光刻光刻機 2.7k 0

了解衍射的來源和含義

本文從來源和含義以及計算光刻方面講了衍射的來源。

2024-01-19 標簽：衍射光源光刻 3.1k 0

解析光刻芯片掩模的核心作用與設(shè)計

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構(gòu)筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏...

2024-01-18 標簽：印刷電路板芯片制造光刻 2.2k 0

光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學(xué)保護作用。

2024-01-04 標簽：光刻EUV芯片制程 2.4k 0

全面解析***結(jié)構(gòu)及工作原理

光刻與光刻機 ?對準和曝光在光刻機(Lithography Tool)內(nèi)進行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(Track)上進行。 光刻機結(jié)...

2023-12-19 標簽：控制系統(tǒng)IC設(shè)計測量系統(tǒng) 1.3k 0

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？

2023-12-15 標簽：晶圓光刻光刻膠 3.6k 0

深度解析多層互連的過孔設(shè)計

交錯的孔會引入寄生電阻和寄生電容，除非是設(shè)計本來就有的，否則寄生效應(yīng)會對電路性能構(gòu)成不利的影響，會增加后仿真中調(diào)整參數(shù)的工作量。

2023-12-14 標簽：集成電路電容cpu 1.9k 0

光刻各環(huán)節(jié)對應(yīng)的不同模型種類

光學(xué)模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學(xué)成像理論，預(yù)先計算出透射相交系數(shù)（TCCs），從而描述光刻機的光學(xué)成像。光學(xué)模型中，經(jīng)過優(yōu)化的光源，通過光刻...

2023-12-11 標簽：晶圓光刻機器學(xué)習(xí) 2.8k 0

這可能最簡單的半導(dǎo)體工藝流程

共讀好書 你即使從來沒有學(xué)過物理，從來沒學(xué)過數(shù)學(xué)也能看懂，但是有點太簡單了，適合入門，如果你想了解更多的CMOS內(nèi)容，就要看這一期的內(nèi)容了，因為只有了解...

2023-12-08 標簽：CMOS半導(dǎo)體光刻 1.4k 0

電子束加工與離子束加工工藝比較

電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學(xué)家斯特格瓦發(fā)明了第一臺電子束加工設(shè)備。它是一種利用...

2023-12-07 標簽：控制系統(tǒng)光刻電子束 2.9k 0

用于高分辨率制造的低成本顯微投影光刻系統(tǒng)

集成光信號分配、處理和傳感網(wǎng)絡(luò)需要小型化基本光學(xué)元件，如波導(dǎo)、分光器、光柵和光開關(guān)。為了實現(xiàn)這一目標，需要能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率制造的方法。

2023-12-04 標簽：mems高分辨率光刻 1.1k 0

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

2023-11-29 標簽：電路半導(dǎo)體光刻 1.4k 0

金屬Cr詳解

在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層...

2023-11-20 標簽：半導(dǎo)體光刻金屬 6.8k 0

ASML攜全景光刻解決方案亮相進博會

第六屆進博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續(xù)以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案...

2023-11-11 標簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1.6k 0

光刻可制造性檢查如何檢測掩模版質(zhì)量

隨著工藝節(jié)點不斷變小，掩模版制造難度日益增加，耗費的資金成本從數(shù)十萬到上億，呈指數(shù)級增長，同時生產(chǎn)掩模版的時間成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保...

2023-11-02 標簽：探測器晶圓光刻 2.2k 0

淺談芯片制程工序中片內(nèi)&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關(guān)鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標簽：晶圓光刻半導(dǎo)體工藝 6k 0