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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人N...
功率墻：將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性，因此我們必須開發(fā)改進(jìn)的功率傳輸和冷卻概念。
2023-02-07 標(biāo)簽：晶體管光刻半導(dǎo)體設(shè)備 1.1k 0
前烘就是在一定溫度下，使膠膜里的溶劑緩慢地?fù)]發(fā)出來(lái)，使膠膜干燥，并增加其粘附性和耐磨性。
摩爾定律究竟所言何物？它何以如此成功？它是否論證了不可阻擋的科技發(fā)展趨勢(shì)？或者，它是否只是反映了工程學(xué)歷史上的一段獨(dú)特時(shí)期？正是在這段時(shí)間里，憑借硅晶的...
淺談背面供電網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)
BPR 是一種技術(shù)縮放助推器，可進(jìn)一步縮放標(biāo)準(zhǔn)單元高度并減少 IR 壓降。它是埋在晶體管下方的金屬線結(jié)構(gòu)——部分在硅襯底內(nèi)，部分在淺溝槽隔離氧化物內(nèi)。
華為EUV光刻新專利可解決相干光無(wú)法勻光問(wèn)題
該專利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過(guò)不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場(chǎng)在曝光時(shí)間內(nèi)的累積光強(qiáng)均勻化，從而達(dá)到勻光的目的，進(jìn)而也就解決了相關(guān)技術(shù)...
該照明系統(tǒng)3包括視場(chǎng)復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror，F(xiàn)FM)、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror，PF...
2022-11-21 標(biāo)簽：照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 1.4k 0
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過(guò)程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過(guò)去除多余的溶劑來(lái)干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...
光刻工藝的8個(gè)基本步驟 光刻機(jī)結(jié)構(gòu)及工作原理
摩爾定律 Intel創(chuàng)始人之一摩爾1964年提出，大約每隔12個(gè)月： 1）。芯片能力增加一倍、芯片價(jià)格降低- -倍; 2）。廣大用戶的福音、行業(yè)人...
盡管存在從流變學(xué)角度描述旋涂工藝的理論，但實(shí)際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數(shù)的變化必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。光刻膠旋轉(zhuǎn)速度曲線（圖 1-3）是設(shè)置旋轉(zhuǎn)速度以獲...
集成電路(IC)的制造需要在半導(dǎo)體(例如，硅)襯底上執(zhí)行的各種物理和化學(xué)過(guò)程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導(dǎo)體摻雜。導(dǎo)...
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中，科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來(lái)的，其中又有哪...
在基材上涂上光刻膠。這是一種具有很高的吞吐量和潛力同質(zhì)性。旋涂的原理是典型地，幾毫升光刻膠被分配到以1000轉(zhuǎn)/分的速度旋轉(zhuǎn)的基板(通常4000 r...
從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對(duì)于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來(lái)越重要。近年來(lái)，先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加，以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本...
壓印光刻是許多新興應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，例如微光學(xué)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、MEMS和光電傳感器;但它是什么以及它是如何工作的?
芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程
單片設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 30 個(gè)好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 79 個(gè)好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒(méi)有芯片良率收...
本Inseto知識(shí)庫(kù)文檔介紹了光刻中使用的掩模對(duì)準(zhǔn)器曝光模式。
光刻是在基板表面形成復(fù)雜設(shè)計(jì)或結(jié)構(gòu)的過(guò)程。光刻技術(shù)已經(jīng)作為一種制造技術(shù)使用了數(shù)百年。它最初是為印刷機(jī)開發(fā)的，現(xiàn)在已經(jīng)成功了作為一種被稱為光刻的微細(xì)制造技...
本研究通過(guò)檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計(jì)量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來(lái)仔細(xì)檢查圖像放置性能。
華林科納對(duì)包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲(chǔ)器在內(nèi)的消費(fèi)產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動(dòng)使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各...
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