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標簽 > 刻蝕工藝
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濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進程緊密交織。盡管在先進制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨特的工藝優(yōu)勢...
后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復(fù)雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
2023-09-06 標簽:功率半導(dǎo)體光刻膠碳化硅 1666 0
說到濕法刻蝕了,這個是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽到這個工藝的話,最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果...
據(jù)“中科院微電子研究所”消息,為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術(shù)難題以實現(xiàn)SOT-MTJ的高密度片上集成,同時研究不同的刻蝕工藝對器件磁電特性的影...
原沸石是非結(jié)晶的,如粉末 X 射線衍射 (XRD) 圖案所示。掃描電子顯微鏡 (SEM) 和透射電子顯微鏡 (TEM) 圖像顯示,原沸石是大小約為5-2...
泛林集團推開創(chuàng)性的選擇性刻蝕解決方案 加速實現(xiàn)3D
通過與客戶、技術(shù)專家和產(chǎn)品團隊的合作,他們已經(jīng)在選擇性刻蝕創(chuàng)新方面實現(xiàn)突破,這將使世界領(lǐng)先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設(shè)備。
摘要 圖案圖像中納米級粗糙度的最小化已成為微處理器生產(chǎn)中光刻過程的優(yōu)先事項。為了探究表面粗糙度的分子基礎(chǔ),通過將臨界電離模型應(yīng)用于聚合物基體的三維分子晶...
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