刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 2.7k 0

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制備工藝刻蝕 2.7k 0

接觸刻蝕阻擋層應(yīng)變技術(shù)介紹

SMT僅僅是用來提高NMOS 的速度，當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時，半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面薄膜層應(yīng)力技術(shù)來提升PMOS 的速度。在SMT技術(shù)的...

2024-07-30 標(biāo)簽：PMOS 工藝流程刻蝕 4.1k 0

太陽能電池擴散制結(jié)后的邊緣刻蝕工藝

隧穿氧化物鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而，在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，電池會遇到繞鍍和邊緣漏電流的問題。這些現(xiàn)象會導(dǎo)致電池的光學(xué)和...

2024-07-27 標(biāo)簽：太陽能電池測試儀硅片 1.5k 0

一文詳解微納加工刻蝕工藝

微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路刻蝕半導(dǎo)體集成電路 3k 0

等離子刻蝕ICP和CCP優(yōu)勢介紹

刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。

2024-04-12 標(biāo)簽：晶體管 CCP ICP 8.2k 0

淺談刻蝕的終點控制

當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標(biāo)簽：集成電路等離子體芯片制造 1.5k 0

淺析反應(yīng)離子刻蝕工藝技術(shù)

刻蝕氣體在等離子體中分解電離，形成離子和自由基等刻蝕類物質(zhì)，稱為Enchant → Enchant到達(dá)晶圓表面的過程。

2024-03-27 標(biāo)簽：集成電路晶圓刻蝕 4.1k 0

什么是線刻蝕干法線刻蝕的常見形貌介紹

刻蝕過程中形成幾乎完全垂直于晶圓表面的側(cè)壁，是一種各向異性的刻蝕?？涛g后的側(cè)壁非常垂直，底部平坦。這是理想的刻蝕形態(tài)，它能夠非常精確地復(fù)制掩膜上的圖案。

2024-03-27 標(biāo)簽：晶圓刻蝕 1.6k 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細(xì)長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們在每個...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 2.3k 0

微帶天線的四種基本饋電方式

射頻饋電（Microstrip Feed）：這是最常見的微帶天線饋電方式之一。射頻信號通過微帶線傳輸?shù)教炀€的輻射部分，通常是通過微帶線和輻射貼片之間的...

2024-03-19 標(biāo)簽：天線微帶天線刻蝕 7k 0

集成電路芯片制造工藝全流程

一般來說SiO2是作為大部分器件結(jié)構(gòu)中的絕緣體或在器件制作過程中作為擴散或離子注入的阻擋層。

2024-03-11 標(biāo)簽：集成電路芯片制造光刻技術(shù) 6.6k 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽：線路板刻蝕 PCB 2.3k 0

半導(dǎo)體芯片的制造過程及原理

對于電子設(shè)備來說，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車的發(fā)動機、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來，就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 2.5k 0

為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用？

對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將...

2024-01-14 標(biāo)簽：射頻高能電子刻蝕 4.7k 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標(biāo)簽：存儲器等離子體半導(dǎo)體封裝 1.7k 0

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個難點，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標(biāo)簽：光柵帶寬耦合器 2.8k 0

流片Corner Wafer介紹

芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導(dǎo)致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽：晶圓 NMOS 芯片制造 4.5k 0

半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 晶圓 1.4k 0

脊型GaAs基LD激光芯片工藝過程簡述

但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。

2023-11-14 標(biāo)簽：封裝 GaAs 芯片工藝 2.2k 0

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