采用電感耦合等離子體刻蝕法對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕
2022-04-26 14:07:28
2863 
等離子體圖形化刻蝕過(guò)程中，刻蝕圖形將影響刻蝕速率和刻蝕輪廓，稱(chēng)為負(fù)載效應(yīng)。負(fù)載效應(yīng)有兩種:宏觀負(fù)載效應(yīng)和微觀負(fù)載效應(yīng)。
2023-02-08 09:41:265131 濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來(lái)顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:445856 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱(chēng)的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類(lèi)似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-09-24 17:42:034046 
。常見(jiàn)的干法刻蝕設(shè)備有反應(yīng)離子刻蝕機(jī)（RIE）、電感耦合等離子體刻蝕機(jī)（ICP）、磁性中性線等離子體刻蝕機(jī)（NLD）、離子束刻蝕機(jī)（IBE），本文目的對(duì)各刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)進(jìn)行剖析，以及分析技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-01-20 10:24:5616124 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽(tīng)到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:585925 
干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊，通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕，其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
2025-05-28 17:01:183199 
隨著ALD厚度的增加，SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形，并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下，菱形孔的尖端可視度有限，這會(huì)導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻蝕保持圓形。
2021-11-15 14:34:302317 
摘要 ：使用SEMulator3D?可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實(shí)現(xiàn)電阻的大幅降低 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Timothy Yang
2024-08-15 16:01:381387 
濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù)，其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代，但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，濕法刻蝕仍在特定場(chǎng)景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247 
（干法刻蝕硅）17、 RIE SiO2 （干法刻蝕二氧化硅）18、 RIE Si3N4 （干法刻蝕氮化硅）19、 RIE Al、AlN、Ti、TiN （干法刻蝕金屬，包括干法刻蝕鋁、干法刻蝕氮化
2015-01-07 16:15:47
AOE刻蝕氧化硅可以，同時(shí)這個(gè)設(shè)備可以刻蝕硅嗎？大致的氣體配比是怎樣的，我這里常規(guī)的刻蝕氣體都有，但是過(guò)去用的ICP，還沒(méi)有用過(guò)AOE刻蝕硅，請(qǐng)哪位大佬指點(diǎn)一下，謝謝。
2022-10-21 07:20:28
新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管！此職位為內(nèi)部推薦，深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機(jī)臺(tái)poly刻蝕經(jīng)驗(yàn)。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機(jī)臺(tái)。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡(jiǎn)歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com，我會(huì)轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸發(fā)，所以刻蝕要在一個(gè)裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問(wèn)題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此，需要一層二氧化硅或其他材料來(lái)阻擋刻蝕劑。這兩個(gè)因素已導(dǎo)致對(duì)于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。蒸汽刻蝕
2018-12-21 13:49:20
臺(tái)面
刻蝕深度對(duì)埋柵SITH柵陰擊穿的影響針對(duì)臺(tái)面
刻蝕深度對(duì)埋柵型靜電感應(yīng)晶閘管（ＳＩＴＨ）柵陰擊穿特性的影響做了實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，隨著臺(tái)面
刻蝕深度的增大，器件柵陰擊穿由原來(lái)的軟擊穿變?yōu)橛矒舸?/div>
2009-10-06 09:30:24
就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中，罩的材料為光阻性的，這和光刻中利用的原理類(lèi)似。而在其他情況中，刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì)，氮化硅就可以用來(lái)制造這樣的“罩”?！?b class="flag-6" style="color: red">干法”（等離子）刻蝕用于
2017-10-09 19:41:52
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4電感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)AlGaInAs,InP材料的非選擇性刻蝕。AlGaInAs與InP的刻蝕速率分別為820nm/min與770nm/min,獲得了刻蝕深度為4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備，通過(guò)高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料（如硅片、氮化硅膜）的化學(xué)反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的材料去除。其核心優(yōu)勢(shì)在于納米級(jí)刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)
濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:321341 干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結(jié)，防止上下短路。干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應(yīng)，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性
2010-07-18 11:28:206853 晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)線刻蝕工序培訓(xùn) 1、刻蝕的作用及方法；2、刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品；3、主要檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn)；4、常見(jiàn)問(wèn)題及解決方法；5、未來(lái)工藝的發(fā)展方向；
2017-09-29 10:29:0925 反刻是在想要把某一層膜的總的厚度減小時(shí)采用的（如當(dāng)平坦化硅片表面時(shí)需要減小形貌特征）。光刻膠是另一個(gè)剝離的例子。總的來(lái)說(shuō)，有圖形刻蝕和無(wú)圖形刻蝕工藝條件能夠采用干法刻蝕或濕法腐蝕技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。為了復(fù)制硅片表面材料上的掩膜圖形，刻蝕必須滿(mǎn)足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2772478 形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下ＧａＮ材料刻蝕速率達(dá)到３４０ｎｍ／ｍｉｎ，側(cè)墻傾斜度大于８Ｏ。且刻蝕表均方根粗糙度小于３ｎｍ。對(duì)引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論，并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。 氮化鎵（ＧａＮ
2020-12-29 14:39:294598 
在集成電路的制造過(guò)程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來(lái)進(jìn)行
2020-12-29 14:42:5811752 
摘要：簡(jiǎn)述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對(duì)SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來(lái)SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合,近年來(lái)其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:1110663 
刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多，在需要光刻機(jī)加工的時(shí)候刻蝕機(jī)有些不能辦到，并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng)，而光刻機(jī)對(duì)精度的要求十分細(xì)致，所以刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。
2022-02-05 15:47:0044425 刻蝕速率是指在刻蝕過(guò)程中去除硅片表面材料的速度通常用?/min表示， 刻蝕窗口的深度稱(chēng)為臺(tái)階高度。 為了高的產(chǎn)量， 希望有高的刻蝕速率。 在采用單片工藝的設(shè)備中， 這是一個(gè)很重要的參數(shù)。 刻蝕速率由工藝和設(shè)備變量決定， 如被刻蝕材料類(lèi)型、 蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)配置、 使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設(shè)置。
2022-03-15 13:41:594092 
刻蝕室半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝，一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種，干法刻蝕和濕法刻蝕一個(gè)顯著的區(qū)別是各向異性，更適合用于對(duì)形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316 濕法刻蝕也稱(chēng)腐蝕。硅的濕法刻蝕是 MEMS 加工中常用的技術(shù)。其中，各向同性 （Isotropic）濕法刻蝕常用的腐蝕劑是由氫氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）組成的混合物（也
2022-10-08 09:16:327442 在 MEMS 制造工藝中，常用的干法刻蝕包括反應(yīng)離子刻蝕 （Reactive lon Etching， RIE）、深反應(yīng)離子刻蝕（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蝕刻。
2022-10-10 10:12:156878 干法刻蝕工藝流程為，將刻蝕氣體注入真空反應(yīng)室，待壓力穩(wěn)定后，利用射頻輝光放電產(chǎn)生等離子體；受高速電子撞擊后分解產(chǎn)生自由基，并擴(kuò)散到圓片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:1910003 濕法刻蝕是集成電路制造工藝最早采用的技術(shù)之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關(guān)鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。
2022-11-11 09:34:1819992 刻蝕是移除晶圓表面材料，達(dá)到IC設(shè)計(jì)要求的一種工藝過(guò)程。刻蝕有兩種:一種為圖形 化刻蝕，這種刻蝕能將指定區(qū)域的材料去除，如將光刻膠或光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底薄膜 上
2023-02-01 09:09:354217 刻蝕速率是測(cè)量刻蝕物質(zhì)被移除的速率。由于刻蝕速率直接影響刻蝕的產(chǎn)量，因此刻蝕速率是一個(gè)重要參數(shù)。
2023-02-06 15:06:267801 濕法刻蝕利用化學(xué)溶液溶解晶圓表面的材料，達(dá)到制作器件和電路的要求。濕法刻蝕化學(xué)反應(yīng)的生成物是氣體、液體或可溶于刻蝕劑的固體。
2023-02-10 11:03:187475 刻蝕有三種:純化學(xué)刻蝕、純物理刻蝕，以及介于兩者之間的反應(yīng)式離子刻蝕（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:075393 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 對(duì)于濕法刻蝕，大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間，而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法，所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響，這種影響對(duì)不同工作站和不同批量均有差異，因此單獨(dú)用時(shí)間決定刻蝕終點(diǎn)很困難，一般釆用操作員目測(cè)的方式。
2023-03-06 13:56:033705 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問(wèn)題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:546518 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:434532 在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱(chēng)的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說(shuō)“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類(lèi)似工藝中也很常見(jiàn)。
2023-06-15 17:51:573242 
：使用特定的化學(xué)溶液進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學(xué)溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產(chǎn)率高
2022-07-12 15:49:253315 
Dimension, CD)小型化(2D視角)，刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕，因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法，刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動(dòng)，從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:103193 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:469786 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過(guò)程，通過(guò)移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:3811057 PVP可以在刻蝕過(guò)程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:398516 在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:0010327 
有過(guò)深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:178379 
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:2511513 
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:212610 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門(mén)軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專(zhuān)注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233 
刻蝕機(jī)的刻蝕過(guò)程和傳統(tǒng)的雕刻類(lèi)似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過(guò)化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:2416635 
刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。
2024-04-12 11:41:568872 
今天我們要一起揭開(kāi)一個(gè)隱藏在現(xiàn)代電子設(shè)備背后的高科技秘密——干法刻蝕工藝。這不僅是一場(chǎng)對(duì)微觀世界的深入探秘，更是一次對(duì)半導(dǎo)體芯片制造藝術(shù)的奇妙之旅。
2024-08-26 10:13:574403 
口離子束刻蝕機(jī) IBE 可以很好的解決傳感器 MEMS 的刻蝕難題, 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀, 刻蝕那些很難刻蝕的硬質(zhì)或惰性材料.
2024-09-12 13:31:021151 
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