刻蝕

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刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻［1］相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過(guò)光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過(guò)其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。

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刻蝕技術(shù)

半導(dǎo)體制造工藝解析

WCMP是電子束檢測(cè)應(yīng)用最重要的一層，這一層的功能主要體現(xiàn)在：可以使工程師遇到器件的漏電和接觸不良問(wèn)題。EBI的應(yīng)用可以幫助提升成品率，減少半導(dǎo)體ict...

2023-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管電子束 3.3k 0

偉大的工程之芯片制造

縱觀整個(gè)制造業(yè)，芯片的制造流程可以說(shuō)是最復(fù)雜的之一，這項(xiàng)點(diǎn)石成金術(shù)可分為八個(gè)大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細(xì)分為上百道工序。

2022-11-11 標(biāo)簽：晶圓芯片制造刻蝕 3.2k 0

二氧化硅玻璃陶瓷刻蝕化學(xué)及HF輔助刻蝕的觀察

關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制引言我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在...

2022-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓刻蝕 3k 0

一文詳解微納加工刻蝕工藝

微納加工的高精度和精確度，可以在微米和納米尺度上精確控制材料的形狀和結(jié)構(gòu)，這使得制造微小器件和結(jié)構(gòu)成為可能。

2024-04-16 標(biāo)簽：集成電路刻蝕半導(dǎo)體集成電路 3k 0

光柵耦合器學(xué)習(xí)筆記

　　耦合一直是硅光集成的一個(gè)難點(diǎn)，目前主要有兩種解決方案。

2023-12-06 標(biāo)簽：光柵帶寬耦合器 2.8k 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 2.7k 0

硅晶圓蝕刻過(guò)程中的流程和化學(xué)反應(yīng)

引言硅晶圓作為硅半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長(zhǎng)的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會(huì)產(chǎn)生加工變質(zhì)層。為了去除該加工...

2022-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體硅晶圓刻蝕 2.7k 0

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來(lái)基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制備工藝刻蝕 2.7k 0

芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法

本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕利用等離子...

2024-12-06 標(biāo)簽：芯片制造刻蝕 2.7k 0

一種用于先進(jìn)封裝的圓臺(tái)硅通孔的刻蝕方法

在集成電路的制造階段延續(xù)摩爾定律變得越發(fā)困難，而在封裝階段利用三維空間可以視作對(duì)摩爾定律的拓展。硅通孔是利用三維空間實(shí)現(xiàn)先進(jìn)封裝的常用技術(shù)手段，現(xiàn)有技...

2023-04-12 標(biāo)簽：傳感器芯片集成電路 2.6k 0

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 2.6k 0

碳化硅在堿性溶液中的陽(yáng)極刻蝕

引言人們對(duì)用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長(zhǎng)的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2.6k 0

半導(dǎo)體芯片的制造過(guò)程及原理

對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)，它藏在內(nèi)部，又非常重要，相當(dāng)于汽車(chē)的發(fā)動(dòng)機(jī)、人的心臟，所以叫“芯”。從形態(tài)來(lái)看，它是一片一片的，所以叫“片”。合起來(lái)，就是“芯片”。

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路芯片制造半導(dǎo)體芯片 2.5k 0

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽：pcb 蝕刻刻蝕 2.5k 0

什么是干法刻蝕的凹槽效應(yīng)？凹槽效應(yīng)的形成機(jī)理和抑制方法

但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？

2023-10-20 標(biāo)簽：芯片 SOI 刻蝕 2.4k 0

單晶SiC晶圓加工過(guò)程中的低溫濕法蝕刻

硅片在大口徑化的同時(shí)，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開(kāi)發(fā)，實(shí)現(xiàn)了無(wú)蝕刻化，無(wú)拋光化。雖然在單晶SiC...

2022-04-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 刻蝕 2.3k 0

3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)...

2024-03-20 標(biāo)簽：刻蝕 3d nand 2.3k 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問(wèn)題

要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽：pcb 印刷電路板蝕刻 2.3k 0

PCB正片和負(fù)片的區(qū)別

通常正片工藝是以堿性蝕刻工藝為基礎(chǔ)的。底片上面，所需的路徑或銅表面是黑色的，而不需要的部分是完全透明的。同樣，在路線工藝曝光后，完全透明的部分被暴露在紫...

2024-01-17 標(biāo)簽：線路板刻蝕 PCB 2.3k 0

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章（點(diǎn)擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過(guò)程來(lái)形象地說(shuō)明半導(dǎo)體制程。在上一篇我們說(shuō)到，為制作巧克力夾心，需通過(guò)“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 2.3k 0

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