3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過多層存儲單元的細長孔洞。這些通孔貫穿整個堆疊結構，并填充了導電材料，它們在每個...

2024-03-20 標簽：刻蝕3d nand 1844 0

半導體干法刻蝕技術解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標簽：半導體制備工藝刻蝕 1821 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學腐蝕

用鈧取代一些鋁可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 1793 0

ZnO上ZnCdO的選擇性濕法刻蝕 南通華林科納

最近在外延膜的導電率控制和高質量塊狀氧化鋅襯底的可用性方面的進展重新引起了我們對用于紫外光發(fā)射器和透明電子器件的氧化鋅/氧化鋅/氧化鋅異質結構系統(tǒng)的興趣。

2021-12-13 標簽：半導體襯底光刻膠 1757 0

刻蝕工藝的參數(shù)有哪些

本文介紹了刻蝕工藝參數(shù)有哪些。 刻蝕是芯片制造中一個至關重要的步驟，用于在硅片上形成微小的電路結構。它通過化學或物理方法去除材料層，以達到特定的設計要求...

2024-12-05 標簽：芯片制造刻蝕 1726 0

通過濕法化學刻蝕制備多孔氧化鋅薄膜

本文用濕化學腐蝕法制備多孔氧化鋅的研究。通過射頻磁控濺射在擇優(yōu)取向的p型硅上沉積ZnO薄膜。在本工作中使用的蝕刻劑是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，Z...

2022-04-24 標簽：薄膜刻蝕 1639 0

通過化學濕法刻蝕工藝制備氮化鎵基發(fā)光二極管

最近，氮化鎵基藍色、綠色和紫外線發(fā)光二極管取得了巨大進展。這些氮化物基發(fā)光二極管也有可能用于固態(tài)照明。然而，為了實現(xiàn)固態(tài)照明，需要進一步提高這些發(fā)光二極...

2022-04-12 標簽：工藝發(fā)光二極管刻蝕 1490 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標簽：晶圓工藝刻蝕 1480 0

微機械中的各向異性蝕刻技術與發(fā)展方向

單晶S1， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結構材料的新用途已經(jīng)開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，...

2022-03-29 標簽：晶圓單晶硅刻蝕 1476 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 1456 0

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

本文簡單介紹了芯片制造過程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕（Etch）是芯片制造過程中相當重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法刻蝕。 ①干法刻蝕 利用等離子...

2024-12-06 標簽：芯片制造刻蝕 1431 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1282 0

芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕

在芯片制造過程中的各工藝站點，有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料，如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”等。如果說“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、pa...

2024-12-16 標簽：芯片芯片制造刻蝕 1268 0

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形

2023-11-27 標簽：半導體DRAM晶圓 1223 0

通過兩步濕法刻蝕法制備黑硅

本研究對黑硅的形成進行了兩步短濕蝕刻處理,所建議的結構包括兩個步驟。第一步：濕酸性蝕刻凹坑狀形態(tài)，具有降低紋理化溫度的新解決方案；第二步：通過金屬輔助蝕...

2022-03-29 標簽：工藝晶片刻蝕 1173 0