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標簽 > 功率半導體
功率半導體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術的基礎,也是構成電力電子變換裝置的核心器件。
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IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導體器件,它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、...
超大功率晶閘管(Ultra-large Power Thyristor,簡稱ULTRA-T)是一種用于高電壓、高電流場合的功率半導體器件,通常應用于工...
開關電源是采用功率半導體器件作為開關元件,通過周期性通斷開關,控制開關元件的占空比來調(diào)整輸出電壓。開關電源的工作原理,簡單的說是將交流電先整流成直流電,...
功率半導體是一類能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導體器件。它可以將小信號控制電流或電壓轉換成大信號輸出,廣泛應用于電力電子、工業(yè)自動化、交通運輸、新能源...
功率半導體是指用于高電壓、高電流應用的半導體器件,其功能包括但不限于以下幾個方面: 開關控制:功率半導體器件常常用于開關控制電路中,通過控制其導通和截止...
氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件,氮化鎵應用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
功率半導體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
通常來講,全控型半導體器件可以依照其導通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
僅從物理特性來看,氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(與硅相比,硅是1)相比,4H-SiC是50...
功率半導體是電能轉換的載體,22 年全球功率器件市場約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導體是功率器件與電源管理IC的集合...
功率半導體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導體器件應具有良好的靜態(tài)和動態(tài)特性,在截止狀態(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步,使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(shù)(...
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