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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳...
2023-12-26 標(biāo)簽:電動汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1139 0
作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件,IGBT應(yīng)用非常廣泛,如家用電器、電動汽車、鐵路、充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電樁,光伏、風(fēng)能,工業(yè)制造、電機驅(qū)動,以及儲能等領(lǐng)域。
國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用,特別是低端產(chǎn)品,如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET(非車規(guī))等,已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國產(chǎn)化率相對較高”等特 點。
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管IGBT 3857 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個模塊需...
芯動半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長期訂單合作協(xié)議
功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色,占據(jù)電機控制器價值量的30%-50%。因此,功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對于車企在市場競爭中取得成功至關(guān)重要。
2023-12-08 標(biāo)簽:電機控制器SiC功率半導(dǎo)體 2363 0
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
回顧IGBT的技術(shù)發(fā)展:7代技術(shù)及工藝改進
新能源汽車的成本構(gòu)成中,最大頭當(dāng)然是動力電池,第二高的就是IGBT。 在電動汽車特斯拉Model 3上,提供電源的是,7000節(jié)18650電池,這些...
功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類型的電子器件,它們在設(shè)計、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。 一、定義 功率半導(dǎo)...
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
2023-12-01 標(biāo)簽:IGBTPN結(jié)功率半導(dǎo)體 3894 0
功率半導(dǎo)體器件設(shè)計的基礎(chǔ)是平行平面結(jié),結(jié)的擊穿與體內(nèi)載流子的碰撞電離密切相關(guān),本次研究的重點結(jié)構(gòu)是晶閘管,而晶閘管的阻斷與開啟都與體內(nèi)載流子的運動有關(guān)。
功率半導(dǎo)體模塊能夠?qū)崿F(xiàn)電能控制與轉(zhuǎn)換,為節(jié)能減排核心技術(shù)和基礎(chǔ)器件,在新能源、輸配電、軌道交通和電動汽車等領(lǐng)域使用。
2023-11-25 標(biāo)簽:電力電子器件功率半導(dǎo)體陶瓷基板 2483 0
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3650 0
PN結(jié)曲率效應(yīng)的產(chǎn)生及其對擊穿電壓的影響
在我們現(xiàn)有的功率半導(dǎo)體器件中,PN結(jié)占據(jù)了極其重要的地位,其正向阻斷能力的優(yōu)劣直接決定著功率半導(dǎo)體器件的可靠性及適用范圍。
2023-11-24 標(biāo)簽:PN結(jié)擊穿電壓功率半導(dǎo)體 2679 0
功率半導(dǎo)體冷知識:IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
功率半導(dǎo)體冷知識:IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 標(biāo)簽:IGBT浪涌功率半導(dǎo)體 1281 0
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