可控硅（SCR）和門極可關斷晶閘管（GTO）都是大功率半導體開關器件，廣泛應用于電力控制和電力轉換領域。

一、可控硅（SCR）

可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。

SCR 的符號如下所示：

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

單向可控硅

首先我們來看一下單向可控硅，可控硅在結構上的組成就是我們熟悉的 PN 結，單向可控硅的電路符號有點像二極管，如下圖：

雙向可控硅

雙向可控硅，不再區(qū)分陽極和陰極，因為他可以雙向導通，其結構如下圖所示：

雙向可控硅兩個方向都能導通。

可控硅的優(yōu)點包括高耐壓、高電流、高正向阻斷電壓、低導通壓降和低維持電流等，使得它在許多應用中成為理想的開關器件。然而，可控硅的控制特性使其在關斷時需要外部電路，并且其觸發(fā)電流較大，這些缺點限制了可控硅在一些場合的應用。

可控硅（SCR）觸發(fā)方法總結

可控硅的觸發(fā)主要取決于溫度、供電電壓、柵極電流等不同的變量。當向可控硅施加電壓時，如果陽極端可以與陰極相關+ve，則可控硅變成轉發(fā)偏向。因此該晶閘管進入正向阻斷狀態(tài)。

二、門極可關斷晶閘管（GTO）

門極可關斷晶閘管（GTO）是一種具有門極控制的可關斷晶閘管。它與普通晶閘管的不同之處在于其可以在門極的控制下實現(xiàn)開關操作。

GTO的符號如下所示：

可關斷晶閘管(GTO)又稱門極可關斷晶閘管或門控晶閘管，是晶閘管的一種派生器件。它的主要特點是門極加正脈沖信號觸發(fā)管子導通，門極加負脈沖信號觸發(fā)管子關斷，因而屬于全控型器件。

可關斷晶閘管既保留了普通單向晶閘管耐壓高、電流大的特性，又具備了自關斷能力，且關斷時間短，不需要復雜的換向電路，工作頻率高，使用方便，但對關斷脈沖信號的脈沖功率和門極負向電流的上升率要求較高。

門極可關斷晶閘管的優(yōu)點在于其可關斷能力，即通過門極施加適當?shù)目刂菩盘?，可以實現(xiàn)晶閘管的開通和關斷操作。此外，門極可關斷晶閘管還具有較低的開通和關斷損耗、較高的耐壓和電流容量等優(yōu)點。然而，門極可關斷晶閘管的制造工藝復雜，成本較高，并且其開關速度較慢，因此在一些快速開關的應用中受到限制。

GTO的主要參數(shù)：

(1)最大可關斷陽極電流IATO

(2)電流關斷增益βOff=IATO/IGM

IGM是門極負脈沖電流最大值 βOff一般只有5左右這是GTO的主要缺點

(3)開通時間Ton 開通時間指延遲時間與上升時間之和.GTO的延遲時間一般為1~2us,上升時間則隨同態(tài)陽極電流值的增大而增大。

(4)關斷時間Toff 關斷時間指存儲時間與下降時間之和，而不包括尾部時間。GTO的存儲時間則隨陽極電流值的增大而增大，下降時間一般小于2us。

三、門極可關斷晶閘管（GTO）和可控硅（SCR）的區(qū)別

1.控制特性：如前所述，可控硅是不可控器件，需要外部電路實現(xiàn)關斷操作；而門極可關斷晶閘管可以通過門極施加適當?shù)目刂菩盘枌崿F(xiàn)開通和關斷操作。因此，在需要頻繁開關的應用中，門極可關斷晶閘管更具優(yōu)勢。

2.驅動電流：可控硅的觸發(fā)電流較大，需要較大的驅動功率；而門極可關斷晶閘管的觸發(fā)電流較小，驅動功率較低。因此，在驅動電路的設計上，門極可關斷晶閘管更為省電。

3.耐壓能力：門極可關斷晶閘管的耐壓能力較高，可以承受較高的電壓；而可控硅的耐壓能力相對較低。因此，在高壓應用中，門極可關斷晶閘管更具優(yōu)勢。

4.開關速度：可控硅的開關速度較快，適用于高頻應用；而門極可關斷晶閘管的開關速度較慢，不適用于高頻開關切換。