英飛凌與英飛源攜手開(kāi)拓新能源汽車充電市場(chǎng)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布與中國(guó)的新能源汽車充電市場(chǎng)領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。

2023-09-25 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFET晶體管 2190 0

2016功率半導(dǎo)體市場(chǎng)逐漸回暖,未來(lái)趨勢(shì)大好

根據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)的調(diào)查顯示，到2020年，功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到33009億元，相比2014年同期，增幅約接近4成。

2016-07-27 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 2183 0

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，&q...

2023-06-02 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率半導(dǎo)體 2175 0

真茂佳推出數(shù)十款MOS，20W-120W快充產(chǎn)品都可用

通過(guò)柵極自鉗位專利技術(shù)，使得器件使用過(guò)程中產(chǎn)生的VGS尖峰電壓實(shí)現(xiàn)了行業(yè)最低水平。通過(guò)屏蔽柵阻尼網(wǎng)絡(luò)專利技術(shù)可以使器件使用過(guò)程的Vds尖峰控制在較低水平。

2020-12-02 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體快充技術(shù)PD快充 2172 0

山東華光光電子股份有限公司簡(jiǎn)介講解

自成立以來(lái)，華光光電與山東大學(xué)等科研機(jī)構(gòu)建立了產(chǎn)學(xué)研合作模式，被譽(yù)為行業(yè)內(nèi)的典范。作為“山東省半導(dǎo)體激光器技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“山東省大功率半導(dǎo)體激光器工...

2024-01-25 標(biāo)簽：激光器封裝功率半導(dǎo)體 2171 0

IR推出全新μIPM-DIP功率模塊

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 （簡(jiǎn)稱IR） 推出高度集成的、纖巧的集成式功率模塊μIPM-DIP系列，適用于低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包...

2014-06-04 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體集成式功率模塊 2164 0

深交所正式受理了比亞迪半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板上市申請(qǐng)

6月29日，比亞迪發(fā)布公告稱，深交所正式受理了比亞迪半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板上市申請(qǐng)。 比亞迪半導(dǎo)體成立于2004年，主要從事功率半導(dǎo)體、智能控制 IC、 智能傳感...

2021-07-02 標(biāo)簽：光電半導(dǎo)體智能傳感器功率半導(dǎo)體 2161 0

比亞迪半導(dǎo)體最新推出緊湊型DIP25-B封裝IPM模塊

功率半導(dǎo)體是變頻家電的核心,變頻和智能化趨勢(shì)強(qiáng)力驅(qū)動(dòng)家電行業(yè)提升整機(jī)半導(dǎo)體用量。而IPM是先進(jìn)的混合集成功率器件，通過(guò)調(diào)節(jié)IPM輸出交流電的幅值和頻率，...

2023-02-07 標(biāo)簽：封裝功率器件IPM 2158 0

南昌縣委書(shū)記一行到訪瑞能半導(dǎo)體參觀

近日，南昌縣委書(shū)記、小藍(lán)經(jīng)開(kāi)區(qū)管委會(huì)主任陳翔一行來(lái)到南昌尚榮科技城，參觀瑞能半導(dǎo)體南昌實(shí)驗(yàn)中心，并指導(dǎo)工作。

2022-06-22 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體 2151 0

功率半導(dǎo)體廠商芯長(zhǎng)征擬A股IPO

江蘇芯長(zhǎng)征微電子集團(tuán)股份有限公司（簡(jiǎn)稱“芯長(zhǎng)征”），一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽(yù)的高新技術(shù)企業(yè)，近日向證監(jiān)會(huì)提交了首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案...

2024-02-26 標(biāo)簽：芯片IGBT功率半導(dǎo)體 2144 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅進(jìn)擊8英寸 8英寸有何優(yōu)勢(shì)

隨著新能源汽車、光伏和儲(chǔ)能等市場(chǎng)的快速發(fā)展，國(guó)內(nèi)的碳化硅產(chǎn)業(yè)正迅速進(jìn)入商業(yè)化階段。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭對(duì)該產(chǎn)業(yè)表達(dá)了濃厚的興趣，并與國(guó)內(nèi)企業(yè)合作，積極追趕...

2023-07-10 標(biāo)簽：新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 2137 0

關(guān)于對(duì)于發(fā)展功率半導(dǎo)體國(guó)有化的看法

　近年來(lái)，由于美國(guó)對(duì)中國(guó)高科技企業(yè)的不斷打壓，中興、華為等國(guó)內(nèi)科技巨頭企業(yè)的發(fā)展均受到一定程度的遏制及影響，為應(yīng)對(duì)該危機(jī)，需依靠整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的共同努力...

2020-10-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 2113 0

國(guó)元證券賀茂飛：千億賽道，成熟市場(chǎng)疊加新興純?cè)隽渴袌?chǎng)

目前，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)自給率偏低，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。從在研項(xiàng)目和產(chǎn)品布局看，國(guó)內(nèi)廠商開(kāi)始向價(jià)值量更高...

2020-12-04 標(biāo)簽：摩爾定律功率器件功率半導(dǎo)體 2107 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)大幅增長(zhǎng) SiC躋身電源組件主流

過(guò)去幾年來(lái)，碳化硅（SiC）型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì)：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標(biāo)簽：igbtSiC功率半導(dǎo)體 2070 0

功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)斯達(dá)半導(dǎo)發(fā)布2022第一季度報(bào)告

功率半導(dǎo)體元器件研發(fā)生產(chǎn)企業(yè)嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司發(fā)布2022第一季度報(bào)告，具體內(nèi)容如下。 一、 主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) （一）主要會(huì)計(jì)數(shù)據(jù)和財(cái)務(wù)指標(biāo) 單位：...

2022-06-28 標(biāo)簽：元器件功率半導(dǎo)體 2054 0

投資金額達(dá)6000萬(wàn)元！又新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日，國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展，合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

2024-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵GaN 2033 0