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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式?;谡婵掌骷墓β史糯笃?,曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過重要角色,而且由于其功率與效率的優(yōu)勢,現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷...
鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應(yīng)用。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會使得封裝體和裸芯的溫度更...
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...
散熱器通常用于吸收和散發(fā)來自電子功率器件(如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等)的過多熱量,以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術(shù)是DBC(直接覆銅)工藝技術(shù)的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
從發(fā)展歷程來看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN,Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。
電動汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計發(fā)展報告
高電壓會導(dǎo)致壓縮機、PTC和電機驅(qū)動MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...
用戶程序的運算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容,邏輯運算結(jié)果可以立即被后面的程序使用
高速熔斷器作為保護半導(dǎo)體的器件,通過其本體的電流可能是直流,也可能是交流,或者是脈沖電流,因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律,將迅速增長并主導(dǎo)市場份額,IDTechEx在報告中給出了各類器件的應(yīng)用時間表。雖然經(jīng)過驗證的SiC MOS...
2023-02-23 標(biāo)簽:電動汽車功率器件SiC MOSFET 1635 0
在同樣的耐壓和電流條件下,SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍,即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降,也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且,SiC器...
2023-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管功率器件sic器件 2224 0
我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦?,改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...
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