惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用

近年來，隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來越重要，國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。

2023-02-10 標(biāo)簽：電力電子功率器件碳化硅 845 0

功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南

動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性，在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán)，主要采用...

2023-02-10 標(biāo)簽：MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 665 0

什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標(biāo)簽：功率器件SiCCMP 3543 0

什么是功率器件，具有什么特性

　　功率器件被稱為功率電子器件，即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 7596 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2002 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1184 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1127 0

東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 2488 0

車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象

功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過1000億元

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1310 0

功率器件和分立器件的區(qū)別

功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 8064 0

小信號(hào)器件和功率器件又是什么？

隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）也將小信號(hào)器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽：分立器件功率器件額定電流 1081 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

　　碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 8815 0

什么是硅基氮化鎵？

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 4430 1

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1896 0