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功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

　　氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 9464 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1397 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶 819 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 能源 1185 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 4059 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，可以實現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對碳化硅功率...

2023-01-31 標簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3277 0

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關(guān)注。

2023-01-17 標簽：封裝封裝技術(shù)功率器件 849 1

基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車配電系統(tǒng)設(shè)計方案

在低SAE自動駕駛級別（例如，1-2級）下，通常，僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下，進入安全狀態(tài)即可——這被稱為失效安全架構(gòu)。

2023-01-15 標簽：繼電器網(wǎng)絡(luò)安全功率器件 1154 0

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標簽：二極管 MOS管功率器件 7718 0

國內(nèi)SiC半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進展 sic半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢

碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅件研發(fā)和封裝測試四個部分，分別占市場總成本的45%15%、25%、 15%。海外以IDM為主要...

2022-12-28 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 429 0

MOSFET的驅(qū)動技術(shù)有哪些？

MOSFET的全稱為：metal oxide semiconductor field-effect transistor，中文通常稱之為，金屬-氧化層-...

2022-12-28 標簽：MOSFET 晶體管 MOS 1902 0

功率器件簡介基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用

2022-12-22 標簽：半導(dǎo)體功率器件 573 0

提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法

對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一...

2022-12-13 標簽：功率器件頻譜儀 1427 0

炸管，探頭也被燒壞了？

在進行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時，都需要對其驅(qū)動波形進行測試，這時大多數(shù)工程...

2022-12-09 標簽：功率器件探頭氮化鎵 1342 0

碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！

碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

2022-12-02 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1622 0

驅(qū)動電路中的誤開通及應(yīng)對方法

功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個受門極電壓控制的開關(guān)。當門極電壓大于開通閾值時，功率器件就會被開通；而當門極電壓低于開通閾值時，功率器...

2022-11-29 標簽：MOSFET 負電壓驅(qū)動電路 9619 0

碳化硅功率器件市場前景！

在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

2022-11-29 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 510 0

當前碳化硅功率器件回顧！

硅功率器件已經(jīng)達到了它們的材料極限，已經(jīng)達到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 718 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識（一）

大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標簽：MOSFET IGBT 功率器件 1749 0

不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應(yīng)用探討

近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需...

2022-11-23 標簽：功率器件 LLC 充電樁 4291 0

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工業(yè)4.0

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工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
英偉達

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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
BeagleBone

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無人機技術(shù)

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以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
LD3320

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OpenWrt

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OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
ARM架構(gòu)

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ARM架構(gòu)過去稱作進階精簡指令集機器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
DragonBoard 410c

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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機處理能力，幫您實現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
OpenCL

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OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
嵌入式操作系統(tǒng)

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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標準化瀏覽器等。
Windows CE

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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
JDI

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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標虛擬機上有哪些類和實例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機一樣。
麒麟960

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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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uCOS II

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米爾科技

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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
ARM公司

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ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack是一個開源的云計算管理平臺項目，是一系列軟件開源項目的組合。由NASA（美國國家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會發(fā)布的一個自由軟件許可證）授權(quán)的開源代碼項目。
YunOS

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MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機體系結(jié)構(gòu)中，負責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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OMAPL138

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OMAP-L138是美國德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點數(shù)字信號處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。

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