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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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功率器件在靜止變頻技術(shù)中的應(yīng)用主要有三個(gè)方面:首先,功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速,從而實(shí)現(xiàn)變頻控制;其次,功率器件可以用來(lái)控制電機(jī)的功率,從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能...
電源功率器件的散熱主要有熱封裝技術(shù)、冷封裝技術(shù)和散熱器技術(shù)。熱封裝技術(shù)是將電子元件封裝在一個(gè)熱熔膠中,以保護(hù)元件免受外界環(huán)境的損害,并使元件能夠正常工作...
功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進(jìn)行綜合考慮。首先,要考慮功率器件的工作溫度范圍,以確定功率器件的耐溫性能。其次,要考慮功率器件的...
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
功率MOSFET是較常使用的一類(lèi)功率器件。“MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 964 0
功率器件的選擇應(yīng)根據(jù)電路的要求,考慮功率器件的功率、電壓、電流、溫度、頻率等參數(shù),以及功率器件的尺寸、重量、成本等因素,以確保功率器件的可靠性和性能。
伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及開(kāi)發(fā)趨勢(shì)
值得關(guān)注的還有機(jī)械諧振抑制技術(shù)和多軸驅(qū)動(dòng)一體化技術(shù)的發(fā)展。目前一些主流品牌或高檔伺服系統(tǒng)都已具備這種諧振抑制功能,而且均能提供四到五個(gè)不同諧振范圍的機(jī)械...
2023-02-15 標(biāo)簽:控制器半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 3.9k 0
硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件,它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來(lái)越明顯,高性能MOSFET的需求也越來(lái)越大,通過(guò)改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
一種陽(yáng)極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管
最近,AlGaN/GaN肖特基二極管(SBD)受到了越來(lái)越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料,主要應(yīng)用于功率器件,可有效縮小功率器件體積,提高功率器件效率,對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1.7k 0
DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱(chēng),由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車(chē)空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...
2023-02-12 標(biāo)簽:pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 3.4k 0
硅基氮化鎵外延生長(zhǎng)是在硅片上經(jīng)過(guò)各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極...
隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升,硅基器件物理極限無(wú)法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來(lái),以碳化硅(silicon carb...
惡劣環(huán)境電力電子系統(tǒng)中碳化硅功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用
近年來(lái),隨著功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,功率器件封測(cè)設(shè)備和材料在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的作用越來(lái)越重要,國(guó)內(nèi)也涌現(xiàn)出了一大批優(yōu)秀企業(yè)。
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)選型避坑指南
動(dòng)態(tài)特性是功率器件的重要特性,在器件研發(fā)、系統(tǒng)應(yīng)用和學(xué)術(shù)研究等各個(gè)環(huán)節(jié)都扮演著非常重要的角色。故對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是相關(guān)工作的必備一環(huán),主要采用...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET測(cè)試系統(tǒng)分立器件 851 0
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
功率器件被稱(chēng)為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱(chēng)。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 8k 0
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