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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎(chǔ)。
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二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁...
作為一種電源轉(zhuǎn)換器,車載逆變電源能夠?qū)δ茈姵刂绷麟娹D(zhuǎn)換為220V的交流電,給筆記本電腦、數(shù)碼相機、無人機等設(shè)備提供電能。其輸出波形包括修正弦波和純正弦...
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...
榮湃產(chǎn)品助力數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源效率的提升
近年來,公有云、私有云的市場快速增長,數(shù)據(jù)中心大量建設(shè),對服務(wù)器電源的性能提出更高要求,服務(wù)器電源逐漸向高功率密度、高可靠性、高智能化、遠程控制、實時監(jiān)...
2022-10-21 標簽:電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1.5k 0
IGBT模塊是新一代的功率半導體電子元件模塊,誕生于20世紀80年代,并在90年代進行新一輪的改革升級,通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表...
2022-10-19 標簽:功率器件GaN電源環(huán)路 1.8k 0
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。...
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達峰”和“碳中和”目標的提出,中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。
通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。
低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快,海外市場會多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業(yè)和錦浪。
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件,通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復電荷,提供更高的效率,明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件,具有顯著優(yōu)勢。
在實際上生產(chǎn)中,扁線電機會比當前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看,扁線電機定子生產(chǎn)過程中,當下主流的6大核心工序!
汽車功率半導體國產(chǎn)化的號角吹響 國產(chǎn)功率半導體未來可期
在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機、電控、功率半導體、視頻傳感器、激光雷達、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。
紋波主要在五個方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2022-08-31 標簽:功率器件紋波開關(guān)變換電路 4.3k 0
近年來,電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能...
由于移動計算設(shè)備的日益普及,網(wǎng)絡(luò)流量正以指數(shù)速度增長。因此,5G 等下一代無線標準在全球范圍內(nèi)不斷推出。隨著數(shù)字化變得更便宜和更省電,具有更高采樣率的更...
GaN功率器件在工業(yè)電機控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復雜工業(yè)電機控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
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