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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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由于移動計算設(shè)備的日益普及，網(wǎng)絡(luò)流量正以指數(shù)速度增長。因此，5G 等下一代無線標(biāo)準(zhǔn)在全球范圍內(nèi)不斷推出。隨著數(shù)字化變得更便宜和更省電，具有更高采樣率的更...
GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
從 70 年代下半葉開始，電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而，隨著...
成果展示：具有1.1 kV級高擊穿電壓的GaN基肖特基二極管
為實(shí)現(xiàn)具有高擊穿電壓和優(yōu)異正向特性的第三代半導(dǎo)體功率器件，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)依托先進(jìn)的半導(dǎo)體TCAD仿真平臺，優(yōu)化設(shè)計了一種具有p-NiO...
四十年來，隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MO...
用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品
電動汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng)，例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。
2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車功率器件碳化硅技術(shù) 883 0
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件，設(shè)計人員在某些情況下可能會考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢
光伏，電動汽車，儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。
2022-08-01 標(biāo)簽：功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 2917 0
功率器件作為電力電子裝置的核心器件，在設(shè)計及使用過程中如何保證其可靠運(yùn)行，一直都是研發(fā)工程師最為關(guān)心的問題。功率器件除了要考核其電氣特性運(yùn)行在安全工作區(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽：IGBT功率器件散熱系統(tǒng) 4458 0
毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗(yàn)場。基于 SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來...
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...
可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、太陽能光伏和電動汽車的創(chuàng)新，1需要具有高...
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場中全面推進(jìn)。在許多情況下...
如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求
本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及設(shè)計人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中，它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...
PMIC 是小型電池供電設(shè)備的最佳選擇，因?yàn)樗鼈兛梢栽趩涡酒刑峁┩暾碾娫唇鉀Q方案，并包括電壓轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器、電池電量指示器、電池充電器和 LED 驅(qū)...
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)的壽命和概況，設(shè)計人員可能會考慮在某些情況下使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但 CO...
SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率
初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的，隨著設(shè)計技術(shù)和制造技術(shù)的進(jìn)步，越來越大容量化。到現(xiàn)在為止，，已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
1940年貝爾實(shí)驗(yàn)室在研究雷達(dá)探測整流器時，發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng)，1958年美國通用電氣（GE）公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管，標(biāo)志著電力電子技...
近年來，半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展迅速，集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。5G 時代的到來，對射頻器件所用半導(dǎo)體材料提出了新要求。氮化鎵（GaN）由于其大禁帶寬度和高飽和電...
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