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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù),鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟,且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種,直徑小于100um的鋁...

2023-03-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件寄生電感 6.2k 0

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化

電流互感器也是一種較為常見(jiàn)的電流檢測(cè)方法, 使用時(shí)使流過(guò)負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過(guò)電流互感器, 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。

2023-10-31 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 6.2k 0

IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析

IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...

2023-03-20 標(biāo)簽:IGBT功率器件DBC 6.2k 0

關(guān)于功率器件中的散熱參考方案

設(shè)計(jì)功率器件中的散熱考慮

2018-06-23 標(biāo)簽:intersil功率器件 6.1k 0

貼片電源模塊sF6773參數(shù)及代換

貼片電源模塊是一種常見(jiàn)的電源模塊,它通常用于電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在這篇文章中,我們將介紹sF6773貼片電源模塊的參數(shù)、功能以及代換方法。讓我...

2024-01-04 標(biāo)簽:貼片電子設(shè)備電源模塊 6k 0

GaN的歐姆接觸實(shí)驗(yàn)

GaN的歐姆接觸實(shí)驗(yàn)

GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸,...

2023-07-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體歐姆光電器件 6k 0

如何使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓

如何使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓

創(chuàng)建可以緩解密勒效應(yīng)寄生導(dǎo)通的柵極負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器并不一定很復(fù)雜。許多現(xiàn)有的單極性工作的柵極驅(qū)動(dòng)器,借助很少的外部電路就可以輕松驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O負(fù)電壓。

2018-11-14 標(biāo)簽:功率器件柵極驅(qū)動(dòng)器 6k 0

hip247和TO247封裝區(qū)別

HIP247和TO247是兩種常見(jiàn)的封裝類型,用于電子元件,特別是功率器件的封裝。盡管它們?cè)诿Q上非常相似,但其實(shí)它們?cè)诔叽?、結(jié)構(gòu)、材料和應(yīng)用方面存在一...

2024-03-12 標(biāo)簽:封裝電子元件功率器件 6k 0

PCB銅皮面積的計(jì)算

PCB銅皮面積的計(jì)算

首先給出答案,對(duì)于散熱,并非銅皮面積越大越好,銅皮較薄時(shí)更是如此。

2023-09-21 標(biāo)簽:PCBsmt散熱 6k 0

什么是Cu clip封裝?碳化硅功率模塊鍵合方式

什么是Cu clip封裝?碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過(guò)封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接,其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持,在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連(interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽:芯片功率器件碳化硅 6k 0

關(guān)于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)技術(shù)關(guān)注點(diǎn)的十大闡述

開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)做了項(xiàng)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)...

2013-05-27 標(biāo)簽:電源開(kāi)關(guān)電源功率器件 5.9k 1

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

SJ MOSFET的應(yīng)用及與SiC和GaN的比較

超結(jié)(SJ)硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應(yīng)用領(lǐng)域以來(lái),在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙(WBG)...

2023-06-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 5.8k 0

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo),那么什么是雪崩耐量呢?即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減,此時(shí)元件可吸收...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 5.7k 0

二極管失效的主要原因

二極管失效的主要原因

對(duì)普通整流二極管來(lái)講,只要應(yīng)用電路中存在電網(wǎng)波動(dòng)、同網(wǎng)中的大功率設(shè)備開(kāi)啟關(guān)斷、雷擊、開(kāi)關(guān)火花、大容量的感性負(fù)載、大容量的容性負(fù)載這些情況下,瞬間電壓高于...

2023-06-16 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體整流二極管 5.7k 0

輪轂電機(jī)的原理與結(jié)構(gòu) 輪轂電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)

輪轂電機(jī)即是在車(chē)輪內(nèi)裝電機(jī),它的最大特點(diǎn)就是將動(dòng)力、傳動(dòng)和制動(dòng)裝置都整合到輪轂內(nèi),因此將電動(dòng)車(chē)輛的機(jī)械部分大大簡(jiǎn)化。

2023-07-24 標(biāo)簽:電機(jī)功率器件輪轂電機(jī) 5.7k 0

解析電動(dòng)車(chē)控制器損壞的常見(jiàn)原因

控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問(wèn)題;電動(dòng)機(jī)無(wú)力可能是控制器檢測(cè)過(guò)流的康銅絲焊接不良,導(dǎo)致...

2024-03-11 標(biāo)簽:單片機(jī)控制器MOS管 5.7k 0

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

RC-IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理及優(yōu)勢(shì)

因?yàn)镮GBT大部分應(yīng)用場(chǎng)景都是感性負(fù)載,在IGBT關(guān)斷的時(shí)候,感性負(fù)載會(huì)產(chǎn)生很大的反向電流,IGBT不能反向?qū)?,需要在IGBT的兩端并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二...

2024-10-15 標(biāo)簽:二極管IGBT晶體管 5.6k 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開(kāi)關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車(chē)、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率模塊 5.5k 0

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟

SiC MOSFET進(jìn)入主流市場(chǎng),功率器件新局面正式開(kāi)啟

進(jìn)一步提高切換頻率會(huì)導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會(huì)有此問(wèn)題。透過(guò)此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...

2019-02-04 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 5.5k 0

T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測(cè)試需求。

2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 5.5k 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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