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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

各種SiC功率器件的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期

各種SiC功率器件的研究和開(kāi)發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期

SiC的禁帶寬度3.23ev,相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸,則功率器件的工作溫度將會(huì)提升到一個(gè)全新的高度。SiC材...

2018-05-11 標(biāo)簽:功率器件sic 1.0萬(wàn) 0

功率器件介紹、市場(chǎng)概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了

功率器件介紹、市場(chǎng)概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了

變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度,后者 在變頻空調(diào)、...

2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬(wàn) 0

利用現(xiàn)有設(shè)計(jì)專知,強(qiáng)化功率模塊在汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用

整合不僅有助于節(jié)省空間,而且還可以幫助降低成本,提高可靠性,加快新產(chǎn)品的上市進(jìn)程。有利的是,在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),可以幫助滿足這些要求。

2017-08-31 標(biāo)簽:汽車(chē)電子電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 1.0萬(wàn) 0

一個(gè)用開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)

一個(gè)用開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)

準(zhǔn)諧振變換器出現(xiàn)在上世紀(jì)80年代中期,包括零電流開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振(ZCS QRC) 和零電壓開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振(ZVS QRC) 。這兩種電路雖然使主開(kāi)關(guān)管在零電壓或...

2017-11-03 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管變換器功率器件 9.9k 0

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?

首先,讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...

2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 9.9k 0

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 9.9k 1

LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

2023-12-06 標(biāo)簽:ESD功率器件LDMOS 9.8k 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過(guò)程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 9.8k 0

功率器件的種類和應(yīng)用領(lǐng)域

功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹,...

2024-07-16 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率器件 9.8k 0

LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖

線性電源功率器件工作在線性狀態(tài),如我們常用的穩(wěn)壓芯片LM7805、LM317、SPX1117等。下圖1是LM7805穩(wěn)壓電源電路原理圖。

2023-12-08 標(biāo)簽:pcb開(kāi)關(guān)電源電源電路 9.6k 0

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 9.4k 0

什么是IEGT呢?這得從上個(gè)世紀(jì)末說(shuō)起

屈興國(guó)告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實(shí)現(xiàn)4.5KV和3KA的功率,再加上簡(jiǎn)易的串聯(lián)實(shí)施,這些產(chǎn)品完美匹配中國(guó)柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...

2018-07-11 標(biāo)簽:東芝IGBT功率器件 9.2k 0

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標(biāo)簽:二極管MOS管功率器件 9.2k 0

變頻器逆變模塊損壞的起因及處理方法

  變頻器逆變模塊損壞多半是由于驅(qū)動(dòng)電路損壞致使1個(gè)橋臂上的2個(gè)開(kāi)關(guān)器件同一時(shí)間導(dǎo)通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其...

2016-06-02 標(biāo)簽:變頻器逆變器功率器件 9.2k 0

eGaN FET與硅功率器件比拼之隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

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本章對(duì)采用eGaN FET原型設(shè)計(jì)的全穩(wěn)壓半磚式供電設(shè)備轉(zhuǎn)換器與類似的MOSFET轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了比較。與可比的先進(jìn)商用轉(zhuǎn)換器相比,eGaN FET原型工作...

2013-01-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件eGaN FET 9.1k 1

功率器件和分立器件的區(qū)別

功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 8.9k 0

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在有源濾波器APF中的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在有源濾波器APF中的應(yīng)用

在有源電力濾波器(APF)系統(tǒng)中,功率器件的選擇直接影響整機(jī)的濾波性能、效率與可靠性。隨著電網(wǎng)電能質(zhì)量要求日益提高,APF需要具備更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的...

2026-03-26 標(biāo)簽:功率器件有源濾波器碳化硅 8.9k 0

采用TL494芯片實(shí)現(xiàn)電動(dòng)跑步機(jī)的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

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中國(guó)經(jīng)濟(jì)與世界的不斷接軌,使中國(guó)臺(tái)灣這個(gè)原先在電動(dòng)跑步機(jī)行業(yè)一直處于壟斷的地位,慢慢地被國(guó)內(nèi)大陸的電跑廠家所削弱。據(jù)2006年、2007年成都體育產(chǎn)品博...

2019-06-24 標(biāo)簽:芯片電機(jī)功率器件 8.8k 0

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

超結(jié)理論應(yīng)用:平面VDMOS結(jié)構(gòu)與超結(jié)MOSFET技術(shù)介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓,就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度,常規(guī)VDMOS的特征導(dǎo)通電阻與擊穿電壓關(guān)系如下式所示。

2023-09-18 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻驅(qū)動(dòng)電路功率器件 8.7k 0

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)綜述

在有限的封 裝空間內(nèi),如何把芯片的耗散熱及時(shí)高效的釋放到外界環(huán)境中以降低芯片結(jié)溫及器件內(nèi)部各封裝材料的工作溫度,已成 為當(dāng)前功率器件封裝設(shè)計(jì)階段需要考慮...

2023-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝功率器件 8.7k 0

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    工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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