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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
文章:2012個(gè) 瀏覽:95138次 帖子:52個(gè)
特高壓技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)
新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵,隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出,中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。
2022-10-12 標(biāo)簽:元器件太陽(yáng)能光伏功率器件 8.4k 0
功率器件被稱(chēng)為功率電子器件,即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。它是電子部件和電子設(shè)備-發(fā)電機(jī)的統(tǒng)稱(chēng)。功率放大是晶體管的電流控制效果或F...
2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率器件 8.1k 0
如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開(kāi)關(guān)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)
正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開(kāi)關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體...
技術(shù)突破:中國(guó)電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶
由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢(shì)在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過(guò),相對(duì)來(lái)說(shuō),這些缺點(diǎn)對(duì)功...
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專(zhuān)用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來(lái)達(dá)到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...
SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車(chē)充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...
雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間...
功率電子技術(shù)在汽車(chē)系統(tǒng)中的應(yīng)用
電子發(fā)燒友網(wǎng): 本文主要講述了汽車(chē)系統(tǒng)中的 功率電子技術(shù) 。 摘要: 20世紀(jì)初,電子產(chǎn)品就被運(yùn)用到 汽車(chē)系統(tǒng) 中。此外,在20世紀(jì)60年代,隨著固體電...
2012-06-11 標(biāo)簽:功率器件動(dòng)力傳動(dòng)汽車(chē)系統(tǒng) 7.8k 0
功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)
通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..
為什么反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是反激電源變壓器?(2)
精通反激電源變壓器設(shè)計(jì)2-精通反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵---反激電源變壓器2A
隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。
2023-12-13 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET功率器件 7.4k 0
氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對(duì)氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點(diǎn)加以說(shuō)明。
2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 7.3k 0
BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對(duì)功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。BCD 工藝制程技術(shù)的工藝步驟中包含大量工藝是為了改...
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