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標(biāo)簽 > 功率開關(guān)
功率開關(guān),它在通過絕緣氣體充滿的殼體中具有至少一個(gè)沿著縱軸線延伸的且基本徑向?qū)ΨQ安裝的、包括至少兩個(gè)功率觸點(diǎn)和一個(gè)配屬于功率觸點(diǎn)的電弧室的滅弧室,其中所述電弧室與至少一個(gè)具有排氣容積的排氣裝置處于功能連接,該排氣裝置用于冷卻在斷開時(shí)產(chǎn)生的熱氣,并且排氣裝置與滅弧室容積連接。
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探討功率開關(guān)各部位傳導(dǎo)損耗計(jì)算方法
在實(shí)際的計(jì)算中重要的是:導(dǎo)通電阻的值根據(jù)Io值中的導(dǎo)通電阻來計(jì)算。一般情況下在MOSFET的技術(shù)規(guī)格書中會(huì)給出導(dǎo)通電阻RDS(ON)和IDS的曲線圖,可...
2020-04-05 標(biāo)簽:二極管MOSFET功率開關(guān) 2.5k 0
隨著開關(guān)電源芯片用量越來越多,技術(shù)方面也日趨成熟。同時(shí)隨著對(duì)成本要求越來越高,技術(shù)質(zhì)量和價(jià)格的平衡需要滿足。如何尋找低成本、高效率的開關(guān)電源芯片?不妨來...
2023-08-21 標(biāo)簽:led開關(guān)電源功率開關(guān) 1.9k 0
GaN功率開關(guān)會(huì)對(duì)EMI造成怎樣的影響
由于這些新電源開關(guān)的快速開關(guān)速度與相關(guān)更高效率,因此我們希望看到他們能適用于開關(guān)模式電源和射頻(RF)功率放大器。他們可廣泛取代現(xiàn)有的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)...
2019-03-26 標(biāo)簽:emi功率開關(guān)gan 1.9k 0
BSP452電源開關(guān)IC是一種高性能的電源管理器件,其工作原理涉及到多個(gè)方面。在本篇文章中,我們將詳細(xì)介紹BSP452電源開關(guān)IC的工作原理,包括其結(jié)構(gòu)...
2023-12-22 標(biāo)簽:電壓功率開關(guān)短路 1.8k 0
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震...
2023-04-19 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率開關(guān) 1.8k 0
關(guān)于器件性能,我最常被問到的問題就是“它們究竟有多快?”通常我會(huì)回答是:它們非常快,但實(shí)際上我并不知道具體有多快。為探明真相,我使用33GHz實(shí)時(shí)示波器...
2018-03-30 標(biāo)簽:功率開關(guān) 1.8k 0
高頻高效DC-DC轉(zhuǎn)換器TPS61087DRCR 應(yīng)用介紹
TPS61087是一款高頻高效DC-DC轉(zhuǎn)換器,集成了3.2-a,0.13-? 功率開關(guān),能夠提供高達(dá)18.5V的輸出電壓。
2023-06-01 標(biāo)簽:電容器電感器功率開關(guān) 1.7k 0
如何進(jìn)行正確的IPM短路保護(hù)設(shè)計(jì)
在家用電器等應(yīng)用中常使用單電阻采樣電路,并通常使用RC低通濾波器消除采樣電阻上的高頻噪聲。下圖是采用單電阻采樣的典型電路。
2023-06-13 標(biāo)簽:保護(hù)電路功率開關(guān)IGBT 1.6k 0
如何選擇汽車電子系統(tǒng)中的功率開關(guān)產(chǎn)品
導(dǎo)通電阻有時(shí)候也譯成通態(tài)電阻。在同樣的條件下,NMOSFET的導(dǎo)通電阻比PMOSFET要小。這是因?yàn)殡娮拥膶?dǎo)通速度比空穴快,因而影響到導(dǎo)通電阻。因此,為...
2020-07-14 標(biāo)簽:汽車電子功率開關(guān) 1.6k 0
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2022-08-12 標(biāo)簽:開關(guān)電源變換器功率開關(guān) 1.5k 0
提升電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的功率多合一整合方案
傳統(tǒng)意義上的機(jī)械層面“多合一”——將電機(jī)+電控+齒輪傳動(dòng)系統(tǒng)等集于一體早已不是什么新聞了,Mode 3甚至早已實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。
2023-04-11 標(biāo)簽:變壓器功率開關(guān)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0
?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.4k 0
英飛凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率開關(guān)解決方案
TO-220和TO-220 FullPack 封裝的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技術(shù),它解決了廣泛的應(yīng)用,如適配器,電視、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前,Power Integrations(PI)舉辦新品媒體線上溝通會(huì),公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國(guó)APEC展(國(guó)際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽:功率開關(guān)PDSiC 1.4k 0
車規(guī)MOSFET技術(shù)確保功率開關(guān)管的解決方案
大電流功率開關(guān)管是一個(gè)串聯(lián)到主電源軌并由邏輯電路控制的低電阻MOSFET晶體管,集成了各種保護(hù)、診斷和檢測(cè)功能。
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)ecu 1.3k 0
充電器ic U95113是一款高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān),內(nèi)置高壓功率三極管,可提供高精度恒壓和恒流輸出性能,尤其適合于小功率離線式充電器應(yīng)用
2023-05-06 標(biāo)簽:功率開關(guān)USB充電器充電器IC 1.3k 0
微型逆變器中常用的功率開關(guān)晶體管類型及特點(diǎn)
微型逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,廣泛應(yīng)用于太陽能光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車充電樁、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在微型逆變器中,功率開關(guān)是核心部件之一,其...
2024-08-15 標(biāo)簽:功率開關(guān)晶體管太陽能光伏 1.3k 0
DC/DC變換器在電動(dòng)汽車上的基本功能是將動(dòng)力電池提供的高壓直流電源變換成適合車載低壓電氣設(shè)備使用的電壓等級(jí)。
2022-09-26 標(biāo)簽:DCDC變換器功率開關(guān)電磁干擾 1.3k 0
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.3k 0
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.3k 0
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