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?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

科技綠洲 ? 2025-09-26 15:52 ? 次閱讀
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UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度為 5A,可減少電源開關(guān)的上升和下降時(shí)間,降低開關(guān)損耗并提高效率。該器件的快速傳播延遲(典型值為 17ns)通過提高系統(tǒng)的死區(qū)時(shí)間優(yōu)化、脈沖寬度利用率、控制環(huán)路響應(yīng)和瞬態(tài)性能,從而產(chǎn)生更好的功率級(jí)效率。
*附件:ucc27624v-q1.pdf

UCC27624V-Q1 可以在其輸入端處理 –10V,這提高了具有中等接地反彈系統(tǒng)的魯棒性。輸入與電源電壓無(wú)關(guān),可以連接到大多數(shù)控制器輸出,以實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。獨(dú)立的使能信號(hào)允許獨(dú)立于主控邏輯控制功率級(jí)。在發(fā)生系統(tǒng)故障時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器可以通過將使能拉低來(lái)快速關(guān)閉。許多高頻開關(guān)電源在功率器件的柵極處都會(huì)出現(xiàn)噪聲,噪聲會(huì)注入柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出引腳,從而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器發(fā)生故障。該器件的瞬態(tài)反向電流和反向電壓能力使其能夠承受功率器件或脈沖變壓器柵極上的噪聲,并避免驅(qū)動(dòng)器故障。

UCC27624V-Q1 還具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能,可提高系統(tǒng)穩(wěn)健性。當(dāng)沒有足夠的偏置電壓來(lái)充分增強(qiáng)功率器件時(shí),柵極驅(qū)動(dòng)器輸出由強(qiáng)大的內(nèi)部下拉MOSFET保持低電平。

特性

  • 符合汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
  • 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
    • 設(shè)備溫度等級(jí) 1
  • 每個(gè)通道的典型 5A 峰值源電流和灌電流
  • 能夠處理–10V的輸入和使能引腳
  • 能夠處理–2V瞬變的輸出
  • 絕對(duì)最大VDD電壓:30V
  • 9.5V 至 26V 的寬 VDD 工作范圍,帶 UVLO
  • 用于高抗噪性的遲滯邏輯閾值
  • 獨(dú)立于VDD的輸入門限(TTL兼容)
  • 快速傳播延遲(典型值為 17ns)
  • 快速上升和下降時(shí)間(典型值為 6ns 和 10ns)
  • 兩個(gè)通道之間的1ns典型延遲匹配
  • 兩個(gè)通道可以并聯(lián)以獲得更高的驅(qū)動(dòng)電流
  • SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD? 封裝選項(xiàng)
  • 工作結(jié)溫范圍為 –40°C 至 150°C

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png
?1. 產(chǎn)品概述?
UCC27624V-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級(jí)雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,專為驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT和SiC功率開關(guān)設(shè)計(jì)。其核心特性包括:

  • ?高驅(qū)動(dòng)能力?:每通道5A峰值源/灌電流
  • ?寬電壓范圍?:工作電壓9.5V至26V,支持30V絕對(duì)最大值
  • ?高魯棒性?:輸入/使能引腳耐受-10V,輸出耐受-2V瞬態(tài)
  • ?快速響應(yīng)?:典型傳播延遲17ns,上升/下降時(shí)間6ns/10ns
  • ?通道匹配?:1ns典型延遲匹配,支持并聯(lián)以提升驅(qū)動(dòng)電流

?2. 關(guān)鍵特性?

  • ?汽車認(rèn)證?:符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)(-40°C至150°C)
  • ?增強(qiáng)抗噪?:滯后邏輯閾值(1V典型滯回)
  • ?靈活控制?:獨(dú)立使能引腳(ENx),默認(rèn)內(nèi)部上拉啟用
  • ?封裝選項(xiàng)?:SOIC8和VSSOP8 PowerPAD?封裝

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

?4. 功能描述?

  • ?輸入級(jí)?:TTL兼容閾值(高2V/低1V),內(nèi)部下拉電阻防浮空
  • ?輸出級(jí)?:混合推挽結(jié)構(gòu)(N+P MOSFET),支持5A反向瞬態(tài)電流
  • ?UVLO保護(hù)?:8V典型開啟閾值(500mV滯回),欠壓時(shí)強(qiáng)制輸出低電平

?5. 性能參數(shù)?

  • ?靜態(tài)電流?:0.6mA(典型值,輸出靜態(tài))
  • ?開關(guān)特性?:
    • 傳播延遲:17ns(典型)
    • 通道匹配:1ns(典型)
  • ?熱阻?:結(jié)至環(huán)境熱阻48.9°C/W(DGN封裝)

?6. 設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)?

  • ?系統(tǒng)可靠性?:-10V輸入容限和UVLO增強(qiáng)抗干擾能力
  • ?效率優(yōu)化?:快速開關(guān)降低功率損耗,支持高頻應(yīng)用(如SiC器件驅(qū)動(dòng))
  • ?兼容性?:引腳兼容傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器(如UCC27324),簡(jiǎn)化升級(jí)

?7. 典型應(yīng)用圖?
驅(qū)動(dòng)雙開關(guān)拓?fù)洌ㄈ鏟FC電路),通過獨(dú)立使能引腳實(shí)現(xiàn)靈活控制,外部柵極電阻(Rg)優(yōu)化開關(guān)速率。

?文檔結(jié)構(gòu)?
包含特性、引腳配置、電氣規(guī)格、時(shí)序圖、典型曲線及詳細(xì)應(yīng)用指南,覆蓋設(shè)計(jì)、布局和熱管理建議。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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